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Titel
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Der Einbau von Wasserstoff in Galliumoxid lässt sich so steuern, dass gezielt Bereiche mit n- und p-Leitung geschaffen werden.
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Beschreibung
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Der Metalloxid-Halbleiter Galliumoxid gilt unter anderem als aussichtsreicher Kandidat für einen möglichen Einsatz in der Leistungselektronik. Dem standen bisher Schwierigkeiten im Wege, die vor allem die gezielte Beeinflussung der elektrischen Leitfähigkeit des Materials behinderten. In einer in der Fachzeitschrift Scientific Reports publizierten Arbeit demonstriert ein Forschungsteam unter Beteiligung des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) nun, wie sich die Leitfähigkeit von Galliumoxid in seiner stabilsten Form (β-Ga2O3) über einen kontrollierten Einbau von Wasserstoff in das Kristallgitter des Halbleitermaterials steuern lässt.
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Copyright
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HZDR/Juniks
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Bild-Nr.
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62171
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Datum
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10.11.2020
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