Prozesstechnologie und Devices

Nanoparkwafer_ausschnittDie Projektgruppe Prozesstechnologie führt Halbleiter-Präparationsprozesse für Silizium und andere Halbleitermaterialien, wie GaAs, SiC und Diamant durch. Die Aktivitäten beinhalten die Wafer-Prozessierung vor und nach Ionenbestrahlung (Ionenimplantation), die Herstellung von Teststrukturen und Bauelementen für verschiedenste analytische und elektrische Untersuchungen sowie Halbleiterprozess- und Bauelementeentwicklungen für industrielle Kooperationspartner.

Die halbleitertechnologische Wafer-Prozessierung konzentriert sich besonders auf die Forschungsthemen Nanostrukturen, Materialien für die Optoelektronik sowie Dotierung & Defekte in Halbleitern des Institutes für Ionenstrahlphysik und Materialforschung.


Die technologischen Ausrüstungen im Klasse-100-Reinraum beinhalten:

  • Prozess-Technologien
    • Nasschemische Wafer-Reinigung und isotropes Ätzen dünner Schichten
    • Nasschemisches anisotropes und selektives Ätzen von kristallinem Silizium
    • Fotolithografische Strukturierung (beidseitig)
    • Reaktives Ionen-Ätzen (SF6, CF4)
    • Thermische Oxydation, Diffusion und Temperung
    • Thermische Kurzzeit-Prozesse (Temperung und Oxydation)
    • Hoch-Temperatur-Vakuum-Temperung
  • Dünnschicht-Technik
    • Sputtern (DC, RF und Magnetron, verschiedene Materialien)
    • Bedampfung (Elektronenstrahl, resistiv, verschiedene Materialien)
  • Feinfokussierter Ionenstrahl
    • Direkte Strukturierung im µm- und nm-Bereich
    • Schreibende Implantation
    • Ionenstrahlgestützte Abscheidung und Ätzung
    • Entwicklung und Analyse von Legierungs-Flüssigmetall-Ionenquellen
  • Bauelemente-Konfektionierung
    • Ultraschall-Drahtbonden
    • Klebetechnik
  • Messtechnik
    • Optische Schichtdickenmessung (interferometrisch, ellipsometrisch)
    • Optische Breitenmessung
    • Optische Mikroskopie
    • Oberflächenprofil- und Rauhigkeitsmessung
    • Atomkraftmikroskopie (AFM)
    • Elektrische Messtechnik (I/V-, MOS-C/V-Messungen)
  • Computergestützter Entwurf
    • Maskenentwurf für die Fotolithografie (AUTOCAD)

Contact

PD Dr. habil. Artur Erbe
Abteilungsleiter
Scaling Phenomena
a.erbeAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2366