Hochtemperatur-Vakuumtempern



Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:
 
 

 
 

Anlage zur Hochtemperatur-Vakuum-Temperung (J.I.P.ELEC)

Die Anlage wird eingesetzt zur Ausheilung von Strahlendefekten und zur elektrischen Aktivierung der Dotanden nach Ionenimplantation in Halbleiter-Materialien.
 

Substrate-Durchmesser
 
max. 35 mm
Prozeßkammer
 
mit Aluminium-Flanschen verschlossenes Quarzrohr
Probenaufnahme
 
Box aus Glaskohlenstoff im Zentrum der Induktionsspule, induktiv beheizt
Vakuum
 
10-6 mbar (Lechrate < 5·10-8 mbar·l/s)
Prozeß-Gase
 
N2 and Ar of 9 ppb purity (H2O)
Gasfluß-Regelung
 
Mass-Flow-Controller, 0...2 slm
Temperatur-Bereich
 
700...2000 °C
Temperatur-Messung
 
Pyrometer, Thermoelement optional
Leistung
 
max. 10 kW
Frequenz
 
10...100kHz
Kühlung
 
Flansche und Induktionsspulel Wasser gekühlt, Quarzrohr luftgekühlt
Prozeßkontrolle
 
Programmierbarer Prozeßkontroller für detaillierte Kontrolle aller Anlagensysteme und Prozeßabläufe
Vakuumsystem
 
Turbomolekularpumpe in Verbindung mit Membranpumpe - ölfrei
Aktuelle Anwendung
 
Thermische Prozessierung von ionimplantiertem SiC