Analytische Transmissionselektronenmikroskopie

Ausrüstung

Arbeitsfelder:

Mit dem Transmissionselektronenmikroskop werden primär die Effekte der Ionenimplantation sowie der Schichtabscheidung auf mikrostruktureller Ebene untersucht. Wegen des vorwiegenden Interesses am Verlauf von Tiefenprofilen werden überwiegend Querschnittsproben analysiert, die in einem abteilungseigenen Präparationslabor hergestellt werden. Neben der klassischen Vorgehensweise (Sägen, Schleifen, Polieren, Dimpeln, Ionendünnen) steht ein fokussierter Ionenstrahl (FIB, Zeiss NVision 40) für die Zielpräparation zur Verfügung. Das TEM ist offen zur Nutzung für alle relevanten Aufgaben innerhalb des Forschungsstandorts sowie für Partner aus dem akademischen und industriellen Umfeld. Aktuell werden u.a. die folgenden Themen bearbeitet:

• Nachweis der Formgebung von Nanopartikeln durch MeV-Ionenbeschuss
  z.B. Formung von Co-Pt-Partikeln während Temperung und Ionenbestrahlung
• Defektengineering an Si (z.B. SOI-Strukturen) und SiGe
  z.B. Untersuchungen zum O-Gettern an H- und He-induzierten Hohlräumen
• Ionenstrahlinduzierte Oberflächenmodifikation (Selbstorganisation)
  z.B. Abbildung von Mustern, die durch Ar- oder Xe-Strahl-Erosion entstehen
• Charakterisierung fortschrittlicher Absorbermaterialien für die Photovoltaik
  z.B. Phasenseparation in perkolierte Si-Nanostrukturen im SiO₂
• Phasenseparation bei der simultanen Abscheidung von Metall und Kohlenstoff
  z.B. Morphologie von Übergangsmetall-Nanoteilchen in einer Kohlenstoffmatrix
• Untersuchung von ZnO:Al-Schichten, hergestellt durch reaktives Sputtern
  z.B. Aufklärung der Temperaturabhängigkeit der Struktur- und Phasenbildung
• Aufnahme und Bindung von Uran in einzelligen Lebewesen (Kooperation mit dem Institut für Ressourcenökologie)
  z.B. Lokalisierung von Uran in Euglenazellen