Hochenergie-Ionenimplation in Halbleitersubstrate

Bestrahlung und/oder Dotierung von Halbleitersubstraten bzw. prozessierten elektronischen Bauelementen zur Erzeugung von Dotierungs- bzw. Strahlenschadensprofilen:

  • Hochenergie-Implantation (He, Pt, Au) zur Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter-Bauelementen (Dioden, MOSFET's, IGBT's)
  • Erzeugung tiefreichender Dotierungsprofile (B, P bis einige 10 µm Eindringtiefe) zur Entwicklung neuer Bauelementekonzepte der Leistungselektronik
  • Vergrabene Dotierungsprofile zur Feldstärkemodifizierung bei Detektoren und Sensoren (z.B. Avalanche-Fotodioden)
  • Verbesserung der Emissionscharakteristik von Laserdioden

Angebot:

Anstrich Ionenimplantation an den Hochenergie-Ionenbeschleunigern (5-MV- Tandem / 3 MV-Tandetron) des FZD mit folgenden Eigenschaften:

Energiebereich: 400 keV bis ca. 30 MeV (je nach Ionenart)
Dosisbereich: 109 bis 1015 At/cm²
Ionenarten: He sowie nahezu alle negativ ionisierbaren Elemente
Substrate: Standard-Wafer 2" bis 8" Durchmesser, Substratdicke beliebig (ca. 100 µm bis mehrere mm), unregelmäßige Proben
Kontakt:
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung

Dr. Johannes von Borany
email: j.v.borany@hzdr.de
Tel.: (0351) 260 2726