Präparation von Halbleitermaterialien

Im Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V. werden Halbleiter-Präparationsprozesse für Silizium und andere Halbleitermaterialien, wie GaAs, SiC und Diamant, durchgeführt (Bild: Moderne 3-Rohr-Horizontal-Diffusionsanlage zur thermischen Prozessierung von Si-Wafern bis 150 mm Durchmesser).

Die technologischen Ausrüstungen im Klasse-100-Reinraum sind ausgelegt für:

Prozess-Technologien

  • Nasschemische Wafer-Reinigung und isotropes Ätzen dünner Schichten
  • Nasschemisches anisotropes und selektives Ätzen von kristallinem Silizium
  • Fotolithografische Strukturierung (beidseitig)
  • Reaktives Ionen-Ätzen (SF6, CF4)
  • Thermische Oxydation, Diffusion und Temperung
  • Thermische Kurzzeit-Prozesse (Temperung und Oxydation)
  • Hoch-Temperatur Vakuum Temperung

Dünnschicht-Technik

  • Sputtern (DC-, RF-Magnetron, verschiedene Materialien)
  • Bedampfung (Elektronenstrahl, resistiv, verschiedene Materialien)

Messtechnik

  • Optische Schichtdickenmessung (interferometrisch, ellipsometrisch)
  • Optische Breitenmessung
  • Optische Mikroskopie
  • Messung von Oberflächenprofilen
  • Elektrische Messtechnik (I/V-, MIS-C/V-Messungen)

Angebot:

Anstrich Beratung
Anstrich Wafer-Prozessierung (vor und nach der Ionenbestrahlung)
Anstrich Messtechnischen Charakterisierung von prozessierten Halbleitersubstraten
Anstrich Herstellung von Teststrukturen und Bauelementen für analytische und elektrische Untersuchungen
Anstrich Gemeinsame Projekte zur Prozess- und Technologieentwicklung
Moderne 3-Rohr-Horizontal-Diffusionsanlage
Kontakt:
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung

Dr. Bernd Schmidt
email: bernd.schmidt@hzdr.de
Tel.: (0351) 260 2726

 


Contact

Dr. Björn Wolf
Head Technology Transfer & Legal Affairs
b.wolfAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2615
Fax: +49 351 260 - 12615