Reaktives Ionen-Ätzen (RIE)

Das Verfahren bietet die Möglichkeit, tiefes anisotropies Ätzen von Silizium bis einige zehn µm Tiefe, das Ätzen von SiC sowie die Reinigung von verschiedenen Probenoberflächen unter Verwendung von Fluor-haltigen Gasen durchzuführen.

Ätzanlage SI 591 (SENTECH Instruments GmbH)

Typ Ein-Kammer-Parallel-Platten-Reaktor
Spezifikation Prozeßkammer Innendurchmesser 300 mm, 270 mm hoch
Elektroden Obere Elektrode mit Gas-Dusche, 250 mm Durchmesser 
Substrat-Elektrode für Wafer bis 200 mm Durchmesser mit drei Absenkstiften, kühlbar oder heizbar im Temperatur- Bereich -30 < T(°C) < +80
RF-Versorgung  Leistung 600 W, Frequenz 13.56 MHz
Schleuse Automatisch, pneumatische Einzel-Wafer Vakuumschleuse
Gase 4 Kanäle (SF6, CF4, O2, Ar) mit MFC-Steuerung
Arbeitsregime Automatisch mit SPS-Steuerung, PC-gestützt, SENTECH Software unter Windows 3.1
Aktuelle Anwendung Isotropes Ätzen von SiC mit SF6+O2 oder CF4+O2, Ätzrate 40 nm/min, übliche Ätztiefe bis 200 nm
Anisotropes Ätzen von Si mit SF6+O2 und thermisch gewachsenem SiO2 als Ätzmaske, Ätzrate 1 µm/min, Ätztiefe bis 20 µm, Selektivität RSi/RSiO2 > 130, Anisotropie 0.97.