Thermische Prozesse

Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:

Horizontal-Ofenanlage mit drei Quarzrohren, (INOTHERM)

Temperaturbereich 300...1150 °C
Prozeßgase

O2 (feucht und trocken), O2+HCl, N2, N2+5%H2, Ar+7%H2
(Reinheit aller Gase 5.0)

Wafer-Durchmesser max. 150 mm
Waferzahl max. 25
Prozesse

Trockenoxydation

Herstellung von SiO2-Gateoxiden, dox = (10...250) nm
Gase: O2 trocken, O2+3% HCl trocken
Temperaturbereich: (900...1100) °C

Feuchtoxydation

Herstellung von SiO2-Feldoxiden, dox= (200...1500) nm
Gase: O2 feucht
Temperaturbereich: (900...1150) °C

 Temperung Ausheilung von Strahlendefekten nach Ionen-Implantation
Drive-in-diffusion nach Ionenimplantation
Metall-Kontakt-Formierung
Gase: N2, Ar, N2+5%H2, Ar+7% H2
Temperaturbereich: (300...1150) °C

 

Horizontal-Ofenanlage mit drei Quarzrohren, DA62 (ELEKTROMAT)

Temperaturbereich 300...1150 °C
Prozeßgase O2 (feucht und trocken), O2+HCl, N2, N2+5%H2, Ar+7%H2
(Reinheit aller Gase 5.0)
Wafer-Durchmesser max. 100 mm
Waferzahl max. 50
Prozesse Trockenoxydation Herstellung von SiO2-Gateoxiden, dox = (10...250) nm
Gase: O2 trocken, O2+3% HCl trocken
Temperaturbereich: (900...1100) °C
Feuchtoxydation Herstellung von SiO2-Feldoxiden, dox= (200...1500) nm
Gase: O2 feucht
Temperaturbereich: (900...1150) °C
Temperung Ausheilung von Strahlendefekten nach Ionen-Implantation
Drive-in-diffusion nach Ionenimplantation
Metall-Kontakt-Formierung
Gase: N2, Ar, N2+5%H2, Ar+7% H2
Temperaturbereich: (300...1150) °C

 

Anlage für Thermische Kurzzeit-Prozesse ADDAX XM-A4 (ADDAX)

System Doppelwandige und DI-Wasser gekühlte Quarz-Prozeßkammer
Wafer-Durchmesser max. 100 mm
Wafer-Anzahl Einzel-Wafer-Prozessierung
Prozesse Kurzzeit-Ausheilung von Strahlendefekten und elektrische Aktivierung der Dotanden nach Ionenimplantation bei minimaler Verbreiterung durch Diffusion der implantierten Profile.
Kurzzeit-Oxydation zur Herstellung dünner Oxide, dox < 50 nm , Nitrierung und Silizid-Formierung

Gase: N2, Ar, O2 , Reinheit 5.0
Temperatur-Bereich: (474...1200) °C
Prozeßzeiten: (0.5...5) min

 

Anlage zur Hochtemperatur-Vakuum-Temperung (J.I.P.ELEC)

Substrate-Durchmesser max. 35 mm
Prozeßkammer

mit Aluminium-Flanschen verschlossenes Quarzrohr

Probenaufnahme Box aus Glaskohlenstoff im Zentrum der Induktionsspule, induktiv beheizt
Vakuum 10-6 mbar (Leckrate < 5·10-8 mbar l/s)
Prozeßgase N2 und Ar  (Gasreinheit 9 ppb H2O)
Gasfluß-Regelung Mass-Flow-Controller, 0...2 slm
Temperatur-Bereich 700...2000 °C
Temperatur-Messung Pyrometer, Thermoelement optional
Leistung max. 10 kW
Frequenz 10...100 kHz
Kühlung Flansche und Induktionsspule Wasser gekühlt, Quarzrohr luftgekühlt
Prozeßkontrolle Programmierbarer Prozeßkontroller für detaillierte Kontrolle aller Anlagensysteme und Prozeßabläufe
Vakuumsystem Turbomolekularpumpe in Verbindung mit Membranpumpe - ölfrei
Aktuelle Anwendung Thermische Prozessierung von ionenimplantiertem SiC