FZD Press Release: Superconducting chips to become reality, publication on superconducting germanium in Phyisical Review Letters, Picture: San­der Münster, Kunstkosmos

Dr. Johannes von Borany
Head of Ion Beam Center
j.v.boranyAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 3378
Fax: +49 351 260 - 13378

Ionenimplantation in Halbleitersubstrate oder dielektrische Schichten

Ionenimplation von Halbleitersubstraten und dielektrischen Schichten zur Dotierung bzw. Erzeugung von Nanopartikeln oder Sekundärphasen:

  • Dotierung von Wide-Bandgap-Halbleitern (SiC, Diamant, GaN etc.)
  • Implantation von Seltenerdmetallen für Lumineszenz-Anwendungen
  • Implantation mit 3D-Metallen zur Erzeugung magnetischer Strukturen
  • Modifizierung dünner Metallschichten zur Verbesserung der Diffusionsbarriere
  • Erzeugung von Sekundärphasen (z.B. CoSi2, FeSi2, SiC in Diamant etc.) mittels Ionenstrahlsynthese
  • Erzeugung von Nanoclustern halbleitender bzw. metallischer Elemente

Energiebereich:   1 keV bis ca. 500 keV (je nach Ionenart)
Dosisbereich:   1012 bis 1016 At/cm²
Ionenarten:   Nahezu alle ionisierbaren Elemente
Substrate:   Standard-Wafer 2" bis 5" Durchmesser, Substratdicke beliebig (kleiner 100 µm bis mehrere mm), unregelmäßige Proben
Temperatur:   Variabel (20°C bis 1000°C) für Substrate bis 2"-Durchmesser

Contact

Dr. Johannes von Borany
Head of Ion Beam Center
j.v.boranyAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 3378
Fax: +49 351 260 - 13378