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Prof. Dr. Andreas Kolitsch
HZDR Innovation GmbH
a.kolitschAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 3348
Fax: 13348, 2703

200 kV Ionenimplanter

  • Hersteller:
DANFYSIK 1090 Ion Implanters
  • Ionenquelle:
Heißkatode, Gas- und Feststoffbetrieb
  • Energiebereich (+):
25 bis 200 keV
  • Scanprinzip:
doppelt magnetisch (1), doppelt elektrostatisch (2)

Implantationskammer Kanal 1

DANFYSIK-200kV

  • Substrate:
beliebig, bis 10 kg
  • Substratgröße:
(xyz) = 370 mm x 370 mm x 600 mm
  • Implantationsfläche:
maximal 400 mm x 400 mm
  • Implantationswinkel (tilt):
0° to 90°
  • Substrattemperatur:
ungekühlt, keine aktive Heizung
  • Dosisbereich:
> 1e15 cm-2

Implantationskammer Kanal 2

DANFYSIK-200kV-2

  • Substrate:
Wafer
  • Substratgröße:
75 mm to 100 mm Wafer oder kleine Proben
  • Implantationsfläche:
maximal 100 mm x 100 mm
  • Implantationswinkel (tilt):
0° bis 45°, andere Winkel auf Anfrage
  • Substrattemperatur:
Standard Targetkammer oder Hochtemperatur Targetkammer (1100 °C)
  • Dosisbereich:
1e13 bis 1e17 cm-2

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