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Prof. Dr. Andreas Kolitsch
HZDR Innovation GmbH
a.kolitschAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 3348
Fax: 13348, 2703

500 kV Ionenimplanter

  • Hersteller:
High Voltage Engineering HVEE
  • Ionenquelle:
Hohlkatode oder Heißkatode, Gas- und Feststoffbetrieb
  • Energiebereich (+):
10 bis 450 keV
  • Scanprinzip:
doppelt elektrostatisch in allen 4 Kanälen

Doppelimplantationskammer mit in-situ Ionenstrahlanalytik

500kV Doppelimplantationskammer

  • Substrate:
kleine Proben
  • Substratgröße:
20 mm x 20 mm
  • Implantationsfläche:
maximal 14 mm x 14 mm
  • Implantationswinkel (tilt):
22,5°
  • Substrattemperatur:
RT - 1200°C
  • Dosisbereich:
5e10 bis 5e16 cm-2

Implantationskammer 1

500 kV Implanter

  • Substrate:
Wafer
  • Substratgröße:
50 mm bis 150 mm Wafer oder kleinere Proben
  • Implantationsfläche:
maximal 125mm x 125mm
  • Implantationswinkel
  • (tilt):
7° Standard
  • Substrattemperatur:
ungekühlt, keine aktive Heizung
  • Dosisbereich:
5e10 bis 5e16 cm-2

Implantationskammer 2

500kV Implanter Kammer 2

  • Substrate:
beliebig bis Ø 50 mm
  • Substratgröße:
50 mm Wafer oder kleinere Proben
  • Implantationsfläche:
maximal 50 mm x 50 mm
  • Implantationswinkel
  • (tilt):
7° Standard
  • Substrattemperatur:
bis 800°C für 1x1 cm2, bis 600°C bis 75 mm Proben (50mm Implantationsfläche), -80°C bis 75 mm (50 mm Implantationsfläche)
  • Dosisbereich:
5e10 bis 5e16 cm-2

Implantationskammer 3 mit automatischem Waferhandling

500kV Implanter Kammer3

  • Substrate:
Wafer
  • Substratgröße:
100 mm Wafer
  • Implantationsfläche:
Ø 98 mm
  • Implantationswinkel
  • (tilt):
  • Substrattemperatur:
RT, wassergekühlt
  • Dosisbereich:
5e12 bis 5e15 cm-2

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