3 MV Tandetron

  • Hersteller
High Voltage Engineering HVEE
  • Ionenquelle
Cs sputter ion source IONEX 860-C
  • Terminalspannung
0,1 -3 MeV
  • Energiebereich
0,2 -8 MeV

(I) Kanal 2: Einscheiben große Implantationskammer

3 MV Kanal 2 Scanprinzip x, y elektrostatisch (f ≈ 1 kHz)
Substrate Wafer
Substratgröße bis 125 mm Wafer
Implantationswinkel 7° Standard
Substrattemperatur ungekühlt, typisch RT
Dosisbereich ab 5E10 cm-2
Durchsatz Typisch 20 Wafer/ h, abhängig von Dosis

(II) Kanal 2: Einscheiben kleine Implantationskammer

3 MV HT-Implantation Scanprinzip x, y elektrostatisch (f ≈ 1 kHz)
Substrate Wafer
Substratgröße bis 100 mm Wafer
Implantationswinkel 7° oder 0°
Substrattemperatur von LN2 bis 400°C
Dosisbereich ab 5E10 cm-2
Durchsatz Typisch 10 Wafer/ h, abhängig von Dosis

 

 

(III) Kanal 4: Waferhandler EATON NV-10

3 MV Kanal 4 Scanprinzip x, y mechanisch
Substrate Wafer
Substratgröße 100 mm, 125 mm und 150 mm Wafer
Implantationswinkel 7° Standard
Substrattemperatur ungekühlt, typisch RT
Dosisbereich ab 1E12 cm-2
Durchsatz bis 100 Wafer/h