6 MV Tandetron

  • Hersteller
High Voltage Engineering HVEE
  • Ionenquelle

Duoplasmatron Model 358 + Li-Umladekanal (nur für He-)

Cs-Putterquelle Model 860C
  • Terminalspannung
0,3 -6 MeV
  • Energiebereich
0.6 - 50 MeV (abhängig von Ladung des Ions)

(I) Kanal 3: Einscheiben Implantationskammer

6 MV Kanal 3 Scanprinzip x, y elektrostatisch (f ≈ 1 kHz)
Substrate Wafer
Substratgröße bis 150 mm Wafer
Implantationswinkel 7° Standard
Substrattemperatur ungekühlt, typisch RT
Dosisbereich ab 1E10 cm-2
Durchsatz Typisch 20 Wafer/ h, abhängig von Dosis

(II) B2: Waferhandler

6MV Waferhändler Scanprinzip

≤ 150 mm: x, y elektrostatisch,

>150mm, Kombination elektrostatisch/ mechanisch
Substrate Wafer
Substratgröße bis 200 mm Wafer
Implantationswinkel 7° Standard, von 0° bis 90° auf Anfrage
Substrattemperatur ungekühlt, typisch RT
Dosisbereich ab 1E10 cm-2
Durchsatz bis 50 Wafer/h, abhängig von der Dosis