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Optimierung des Czochralski-Verfahrens zur Herstellung von monokristallinem Silizium (CzSil)
TP5: Strömungsmessungen in Modell- und Siliziumschmelzen

Die Weiterentwicklung des Czochralski-Verfahrens zur Herstellung von monokristallinen Silizium-Wafern ist ein wichtiger Weg, um die Kostenreduktionspotenziale bei der Herstellung von Solarstrom im Hinblick auf die Erreichung einer Netzparität ausschöpfen zu können. Im Rahmen des Gesamtvorhabens CzSil geht es darum, im Verbund mit Anlagen-, Komponenten-, und Materialherstellern und Forschungseinrichtungen, sowohl die Anlagentechnik als auch den Zyklus des kompletten Kristallzüchtungsprozesses zu optimieren.

In diesem Teilvorhaben ist es die Zielstellung des HZDR, die Messung der Strömungsgeschwindigkeiten in heißen Siliziumschmelzen zu ermöglichen, und die Strömungsverhältnisse in neuartigen Quarzglastiegeln zu modellieren. Die so gewonnenen Informationen werden in die Entwicklungsarbeiten der Anlagen- und Prozessinnovationen eingehen.

Verbundpartner:

  • Crystal Growing Systems GmbH / PVA TePla AG, Jena - Maua
  • Ersol Wafers / ASi Industries GmbH, Erfurt
  • Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG, Bitterfeld - Wolfen
  • CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH / SolarZentrum Erfurt
  • Fraunhofer - Zentrum für Silizium Photovoltaik, Halle
  • Fraunhofer - Technologiezentrum für Halbleitermaterialien, Freiberg
Fördergeber: BMBF/ PTJ
Förderkennzeichen: 03SF0379F
Laufzeit: 01.07.2009 - 30.06.2012
Umfang: 196.695 €
Ansprechpartner: Dr. Gunter Gerbeth