Examensarbeiten in der Abteilung Spektroskopie

  • Entwicklung schneller Graphen-basierter Detektoren

    (experimentell)

    Graphen besteht aus einer Monolage von hexagonal angeordneten Kohlenstoffatomen. Dieses erst 2004 entdeckte Material ist ein äußert spannendes Forschungsobjekt, das eine Vielzahl von verblüffenden physikalischen Eigenschaften zeigt. Die wichtigste optische Eigenschaft von Graphen ist die sogenannte universelle Absorption. Eine Graphenschicht absorbiert ca. 2.3 % der einfallenden Strahlung in einem weiten Spektralbereich vom Terahertz-Bereich bis in den UV-Bereich. Bisher haben wir schnelle Graphen-basierte Detektoren für den Terahertz- und mittleren Infrarot-Bereich entwickelt. Ziel der Bachelor- oder Master-Arbeit ist es den Spektralbereich dieser Detektoren zur kurzwelligen Seite hin zu erweitern. Hierfür sollen verschiedene Substrate getestet werden und die Detektoren dann mit verschiedenen Kurzpulslasern charakterisiert werden.
    Kontakt: Dr. Stephan Winnerl

  • Plasmonische Effekte an Graphen-Nanoribbons

    (experimentell)

    Plasmonen ermöglichen die Konzentrierung elektromagnetischer Felder in räumlichen Bereichen kleiner als die Wellenlänge. Graphen, ein neues Material bestehend aus einer Monolage von hexagonal angeordneten Kohlenstoffatomen, eignet sich besonders gut für plasmonische Anwendungen im Infrarotbereich. Zu diesem Zweck müssen Graphenschichten in nanoskalige Streifen, sogenannte Graphen-Nanoribbons strukturiert werden. Im Rahmen dieser Arbeit sollen Graphen-Nanoribbons hergestellt werden und mittels Infrarotspektroskopie optisch charakterisiert werden. Anschließend sollen die besten Proben mittels Infrarot-Nahfeldmikroskopie untersucht werden. Diese Technik ermöglicht es, die räumliche Struktur der Plasmonen direkt sichtbar zu machen.
    Kontakt: Dr. Stephan Winnerl

  • Growth and properties of III-V semiconductor nanowires
    (experimental)
    III-V compound semiconductors are a class of materials with outstanding electronic and optoelectronic properties (high electron mobility, wide range of direct energy band gaps, etc.). High-speed transistors, efficient light emitting diodes, and solid-state lasers are only some of the devices widely used in our everyday lives, e.g. in smart phones, blu-ray technology, wireless local-area networks, LED displays, etc. In the era of nanotechnology, we focus our research on new physical phenomena that occur in III-V nanostructures. Such phenomena may enhance the performance of the aforementioned devices or open ways to novel device architectures. Students interested in conducting research / pursuing a master thesis in our laboratory would be involved with one or more of the following topics:
    • growth of III-As (arsenide) nanowires and thin films by molecular beam epitaxy
    • investigation of their structural, electrical, and optical properties using x-ray diffraction, Hall-effect, photoluminescence, etc.
    • investigation of the growth mechanisms using in-situ reflectometry
    Contact: Dr. Emmanouil Dimakis


Contact

PD Dr. habil. Harald Schneider
Head Spectroscopy
h.schneiderAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2880