Formung von Co-Pt-Partikeln in einer Siliziumoxid-Matrix während Temperung und Ionenbestrahlung

Abb. 1. TEM-Hellfeldabbildung einer ursprünglich mit Kobalt und Platin bestrahlten und im Anschluss bei 1000 °C wärmebehandelten sowie mit 4 MeV Si⁺-Ionen bei 300 °C beschossenen SiO₂-Quartzglassprobe.

Abb. 2. HAADF-STEM-Aufnahme der Querschnittsprobe mit rot markierter Position für die qualitative EDXS-Analyse.

Abb. 3. EDX-Spektrum an der rot markierten Stelle in Abb. 2. Neben Kobalt und Platin vom markierten Partikel werden Silizium und Sauerstoff der Quartzglassmatrix detektiert.

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Dr. René Hübner

Lei­ter Strukturanalytik
Elek­tronen­mikro­skopie-Labor
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Analytische Transmissionselek­tronen­mikro­skopie⁽¹⁾

⁽²⁾

Analytische Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) findet Anwendung in der Untersuchung der

• Phasenbildung in Nanomaterialien
• Struktur von dünnen Schichten einschließlich Oberflächen- und Grenzflächenrauigkeiten
• Elementzusammensetzung im Nanometerbereich

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