Ionenimplanter

Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen in Form von Ionen in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials ändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichnet. Die Ionenimplantation ist verfügbar für Industrieprojekte und -service sowie für grundlegende und anwendungsorientierte Untersuchungen zur Modifizierung oberflächensensitiver Eigenschaften, insbesondere Härte, Reibung, Verschleiß, Ermüdung, Haftfestigkeit, Korrosion von Metallen und anderen Werkstoffen, für Dotierung, Synthese, Nanostrukturierung und Defektengineering im Halbleiterbereich.

Das Ionenstrahlzentrum betreibt drei Ionenimplanter mit 500 kV, 200 kV und 40 kV maximaler Beschleunigerspannung und Anlagen zur Plasma-Immersions-Ionenimplantation.

-

500 kV Ionenimplanter

Der 500 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
Ionenquelle: IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 10 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 4

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

  

200 kV Ionenimplanter

Der 200 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1090
Ionenquelle: Heißkathode, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 20 - 200 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt magnetisch / elektrostatisch (Kammer 1/2)
Implantationskammern: 2

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 200 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

-

40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1050
Ionenquelle: Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 100 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 1

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter finden Sie hier.


Contact

Dr. Roman Böttger
Head Ion Implantation
Ion Technology
r.boettger@hzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2873