Contact

Dr. Roman Böttger
Head Ion Implantation
Ion Technology
r.boettger@hzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2873

Die Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Substrate: Wafer oder kleinere Proben
Substratgröße: 0.5x0.5 cm2 bis 6" Wafer
Implantationsfläche: max. 150 x 150 mm
Implantationswinkel: 0° und 7°, andere Winkel auf Anfrage
Substrattemperatur: Stickstoffkühlung für 2" Wafer,
bis 800 °C für 1x1 cm2 Proben
Fluenzbereich: 1e12 to 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

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