Contact

Dr. Roman Böttger
Head Ion Implantation
Ion Technology
r.boettger@hzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2873

Die Implantationskammern am 200 kV Ionenimplanter

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Kammer 1

Kanal 1 am 200 kV Implanter Substrate: beliebig, bis 10 kg
Substratgröße: bis 370x370x600 mm3 (xyz)
Implantationsfläche: max. 400x400 mm
Implantationswinkel: 0° bis 90°
Substrattemperatur: ungekühlt, keine aktive Heizung
Fluenzbereich: ≥ 1e15 cm-2
  Rotation während der Implantation ist möglich

Kammer 2

Kanal 2 am 200 kV Implanter Substrate: Wafer und kleinere Proben
Substratgröße: 3" und 4" Wafer sowie kleinere Proben
Implantationsfläche: max. Ø 100 mm
Implantationswinkel: 0° und 7°, andere Winkel auf Anfrage
Substrattemperatur: bis 1100 °C
Fluenzbereich: 1e13 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

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