Contact

Dr. Roman Böttger
Head Ion Implantation
Ion Technology
r.boettger@hzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2873

Die Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter

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Kammer 1

Kammer 1 am 500 kV Implanter Substrate: Wafer oder kleinere Proben
Substratgröße: 2" bis 6" Wafer oder kleinere Proben
Implantationsfläche: max. 125x125 mm2
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: ungekühlt, keine aktive Heizung
Fluenzbereich: 5e10 bis 5e16 cm-2

Kammer 2

Kammer 2 am 500 kV Implanter Substrate: beliebig bis Ø 50 mm
Substratgröße: 2" Wafer oder kleinere Proben
Implantationsfläche: max. 50x50 mm2
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: bis 800 °C für 1x1 cm2,
bis 600 °C bis 3" Proben,
-80 °C bis 3" Proben
Fluenzbereich: 5e10 bis 5e16 cm-2

Kammer 3 mit automatischem Waferhandling

Kammer 3 am 500 kV Implanter Substrate: Wafer
Substratgröße: 4" Wafer
Implantationsfläche: Ø 98 mm
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: Raumtemperatur, wassergekühlt
Fluenzbereich: 5e12 bis 5e15 cm-2

Kammer 4 - Doppelimplantationskammer (siehe auch 3 MV Beschleuniger)

Kammer 4 am 500 kV Implanter Substrate: kleine Proben
Substratgröße: max. 20x20 mm2
Implantationsfläche: max. 14x14 mm2
Implantationswinkel: 22.5°
Substrattemperatur: bis 500 °C
Fluenzbereich: 5e10 bis 5e16 cm-2

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