Ionentechnologie - Implantations- & -bestrahlungsbedingungen

Folgende Tabelle gibt einen schnellen Überblick über die Implantations-/Bestrahlungsparameter, die an unseren Anlagen realisierbar sind. Im Einzelfall kann es zu Einschränkungen bei der Kombination bestimmter Bestrahlungsparameter kommen. Bitte kontaktieren Sie uns; wir beraten Sie gern.

Ionenspezies H - Bi (nur stabile Isotope,
Molekülionen & Isotopentrennung möglich)

kein Deuterium 
Ionenenergie

100 eV - 55 MeV 

Interaktionstiefe

wenige Ångström bis zu ~150 µm (in Si)

Fluenzen

107 - 1018 cm-2 

Probengröße

bis zu Ø 200 mm

Einfallswinkel

0° - 90° 

Ionenstrahlstrom

nA - mA 

Probenkühlung

mittels flüssigem Stickstoff möglich 

Probenheizung

bis 1100 °C 

Vakuum

< 2x10-6 mbar 

Spezielle
Endstationen

für Zweistrahl-Bestrahlung,
für kontinuierliche Probenrotation

Sonstige
Besonderheiten

definierter Partialgasdruck,
motorisierter Shutter für Fluenzgradienten

Luftreinheit

bis Klasse 5 (DIN EN ISO 14644)


Contact

Dr. Roman Böttger
Head Ion Implantation
Ion Technology
r.boettger@hzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2873