Ionenimplanter

Das Ionenstrahlzentrum betreibt drei Ionenimplanter mit maximalen Beschleunigungsspannungen von 500 kV, 200 kV und 40 kV. Damit können Ionenstrahlen mit Energien zwischen 100 eV und 2 MeV zur Verfügung gestellt werden. Deutlich höhere Ionenenergien können an unseren Hochenergie-Ionenbeschleunigern realisiert werden.

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500 kV Ionenimplanter

Der 500 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
Ionenquelle: IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 10 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 4

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

200 kV Ionenimplanter

Der 200 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1090
Ionenquelle: Heißkathode, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 20 - 200 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt magnetisch / elektrostatisch (Kammer 1/2)
Implantationskammern: 2

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 200 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

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40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1050
Ionenquelle: Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 100 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 1

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter finden Sie hier.


Contact

Dr. Roman Böttger
Head Ion Implantation
Ion Technology
r.boettger@hzdr.de
Phone: +49 351 260 - 2873