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entdeckt_02_2014

PORTRÄT// DAS FORSCHUNGSMAGAZIN AUS DEM HZDR WWW.HZDR.DE 36 37 Ausgezeichnete Einblicke in Nano-Drähte In seinem Reisegepäck wird unter anderem eine Urkunde ste- cken, auf der steht: „Dr. Xin Ou erhält den Forschungspreis des HZDR 2010 für seine Arbeit zur Charakterisierung von Nano- Drähten“. Dabei handelte es sich um Drähte aus Silizium, die eine völlig neue Chip-Architektur ermöglichen könnten, etwa indem sie in einem Siliziumtransistor nicht flach, sondern wie viele winzig kleine Türme nebeneinander angeordnet werden. Gemeinsam mit Kollegen im HZDR-Institut für Ionenstrahlphy- sik und Materialforschung sowie vom Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik in Halle gelang es Xin Ou, den elektri- schen Widerstand und den bis dahin unbekannten Strom- fluss im Inneren von Silizium-Nanodrähten darzustellen. Die Ergebnisse erschienen damals in der Fachzeitschrift „Nano Letters“. Mittlerweile enthält die Publikationsliste Xin Ous 35 Eintragungen für wissenschaftliche „Paper“, zwei Buchkapitel, 32 Konferenz-Beiträge und sieben Patente. Kein Wunder also, dass sich auch die Liste der Auszeichnun- gen nicht auf den Forschungspreis des HZDR erschöpft. Im japanischen Kyoto erhielt Xin Ou den Nachwuchspreis der Internationalen Konferenz für Ionenimplantation 2010 und sei- ne Doktorarbeit brachte ihm den Preis „Exzellente Promotion“ der Chinesischen Akademie der Wissenschaften ein – um nur zwei weitere Ehrungen zu nennen. Für den dekorierten Physiker ist klar, dass er seine Erfolge auch seinem Umfeld verdankt. „Am HZDR habe ich von den sehr guten Arbeitsbedingungen im Ionenstrahlzentrum und dem kooperativen Miteinander profitiert. Das SIMIT ist, wie ich selbst, eher experimentell ausgerichtet. Die Unterstützung durch die vielen Experten auf dem Gebiet der Simulation von Ionenstrahl-Prozessen und der Charakterisierung von Materialien wird mir dort fehlen“, so der Physiker. Deshalb ist ihm eine Zusammenarbeit mit dem Ziel, dauerhafte Drähte zwischen Kollegen in China und Deutschland zu etablieren, besonders wichtig. Und er freut sich, wenn sich daraus enge Freundschaften entwickeln wie beispielsweise mit seinem Kolle- gen Reinhard Kögler, Betreuer der Doktorarbeit und Mit-Autor einiger seiner vielen wissenschaftlichen Veröffentlichungen. Ausbaufähige Beziehungen schaffen Der SIMIT-Direktor Xi Wang, eines der jüngsten Akademiemitglieder in China, war Hauptbetreuer der Promotion Xin Ous. Die Geschichte zwischen SIMIT und dem HZDR reicht jedoch weiter zurück in die Vergangenheit – bis in die Zeit direkt nach der Wende. Im Jahr 1993 erhielt der Physiker Xianhuai Liu, der wiederum die Doktorarbeit des heutigen SIMIT-Direktors betreut hatte, eine Einladung an das Dresdner Ionenstrahlzentrum, das er noch im gleichen Jahr besuchte. So ebnete er den Weg für Xi Wang, der später als von der Alexander von Humboldt-Stiftung geförderter „Fellow“ an das HZDR kam. Direktor Wang ist es zu verdanken, dass sich die Zusam- menarbeit auf dem Gebiet der Mikro- und Nanoelektronik zwischen Shanghai und Dresden intensiviert hat. Ein kluger Schachzug jedenfalls war die Entsendung seines strebsamen Doktoranden Xin Ou an das HZDR. Nach knapp acht Jahren in Dresden nimmt dieser nun viele Ideen und Vorschläge für zukünftige Zusammenarbeitsthemen nach Shanghai mit. „Deutschland und China arbeiten in der Wirtschaft eng zu- sammen und ich bin überzeugt, dass auch die Kooperationen in der Wissenschaft wachsen werden“, gibt sich der chine- sische Forscher optimistisch. Vorbild könnte die fruchtbare Zusammenarbeit sein, die das Forschungszentrum Jülich seit Jahren mit dem SIMIT-Institut in Shanghai pflegt. Ionen als Zukunftstechnologie Gerade das Gebiet der Ionenstrahlphysik ist nach Xin Ous Überzeugung besonders geeignet, um es in China weiter auszubauen und gemeinsam neue Felder zu erschließen. Io- nenstrahlen – also schnelle, elektrisch geladene Atome – sind ein unverzichtbares Werkzeug für die Materialforschung, denn mit ihnen lassen sich die elektronischen, optischen, magne- tischen oder mechanischen Eigenschaften von Materialien maßschneidern. Xin Ou ist vor allem an Ionenstrahl-Prozessen für neue oder verbesserte Informationstechnologien interes- siert. So arbeitete er während seiner Promotionszeit daran, den Fabrikationsprozess für das sogenannte „Silicon-on- Insulator“ („Silizium auf Isolator“) zu optimieren. Bei dieser HOCH STATT FLACH: Silizium-Wafer mit neuartigen Säulen-Transistoren aus Silizium-Nanodrähten (ohne oberen p-Kontakt). Schema: Sander Münster

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