Publications Repository - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

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Ladungsträger-Tiefenprofilierung an ultra-flachen pn-Übergängen
Schmidt, B.; Philipp, P.; Zier, M.; Zimmermann, L.;
Die Stufenweise Oxidationsprofilierung (SWOP) wurde zur Ladungsträgertiefenprofilierung an Bor-implantierten Silizium eingesetzt. Das Meßverfahren basiert auf einer alternierenden elektrischen Messung des Schichtwiderstandes mit van-der-Pauw (VDP)-Strukturen zwischen jeweils einem Si-Schichtabtrag durch elektrochemische anodische Oxidation. Es konnte gezeigt werden, dass die SWOP-Profile sehr gut mit SIMS-Referenzprofilen übereinstimmen und eine Tiefenauflösung von 1 nm sowie eine Nachweisgrenze 1•1016cm-3 erreicht wird.
Keywords: ion implantation, van der Pauw structures, sheet resistance measurement, charge carrier depth profiles, anodic oxidation

Publ.-Id: 18098 - Permalink