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P1108 - Integriertes nichtflüchtiges Speicherbauelement, Herstellung und Verwendung
Schmidt, H.; Shuai, Y.; Skorupa, I.; Zhou, S.;
Die Erfindung beschreibt die Herstellung, den Aufbau eines integrierten Speicherbauelementes, umfassend mindestens einen gleichrichtenden Bottom-Kontakt oder einen Top-Kontakt und eine ferrroelektrische Schicht als leitfähigen Kanal zwischen den Kontakten. Weiterhin wird die Verwendung des integrierten Speicherbauelementes in einem integrierten Feldeffekttransistor beschrieben.
  • Patent
    DE 102011051767A1 - Offenlegung - 17.01.2013; Nachanmeldung WO, US

Publ.-Id: 18411 - Permalink