P-Implantation in voramorphisiertes Ge und anschließende Temperung: Festphasen-Epitaxie, P-Diffusion und -Aktivierung

Posselt, M.; Schmidt, B.; Anwand, W.; Grötzschel, R.; Heera, V.; Wündisch, C.; Skorupa, W.; Hortenbach, H.; Gennaro, S.; Bersani, M.; Giubertoni, D.; Möller, A.; Bracht, H.

P-Implantation in voramorphisiertes Ge und anschließende Temperung: Festphasen-Epitaxie, P-Diffusion und -Aktivierung

Posselt, M.; Schmidt, B.; Anwand, W.; Grötzschel, R.; Heera, V.; Wündisch, C.; Skorupa, W.; Hortenbach, H.; Gennaro, S.; Bersani, M.; Giubertoni, D.; Möller, A.; Bracht, H.

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Keywords: germanium; ion implantation; annealing; phosphorus; diffusion; activation

Lecture (Conference)
38. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation, 09.11.2007, Dresden, Germany

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-10770
Publ.-Id: 10770