Verfahren zur Behandlung heteroepitaktischer Halbleiterschichten auf Silicon-on-insulator(SOI)-Substraten
Verfahren zur Behandlung heteroepitaktischer Halbleiterschichten auf Silicon-on-insulator(SOI)-Substraten
Gebel, T.; Heera, V.; Panknin, D.; Skorupa, W.; Voelskow, M.; Eickhoff, M.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf SOI-Substraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
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Patent
Patentanmeldung Az 101 27 074.7 -
Patent
DE 101 27 074 A 1
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-4214
Publ.-Id: 4214
