Kontakt

Prof. Dr. Jürgen Faßbender

Direktor
Institut für Ionen­strahlphysik und Material­for­schung
j.fassbenderAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3096

Prof. Dr. Manfred Helm

Direktor
Institut für Ionen­strahlphysik und Material­for­schung
m.helmAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2260

Das Helmholtz-Kolleg NanoNet ist ein strukturiertes Promotionsprogramm, das die Ausbildung der nächsten Generation Nachwuchswissenschaftlerinnen und -wissenschaftler in der Nano-Elektronik fördert. Es ist eine Initiative des HZDR gemeinsam mit der TU Dresden, dem Leibniz-Institut für Polymerforschung IPF, dem Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme IKTS und der NaMLab gGmbH.

Bachelor-, Master-, Diplom- und Doktorarbeitsthemen

Zu den unten aufgeführten Arbeitsthemen können im Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung Bachelor-, Master-, Diplom- oder Doktorarbeit vergeben werden. Die Anforderungen werden jeweils so formuliert, dass die Arbeiten innerhalb der von der Prüfungsordnung vorgegebenen Zeit bzw. innerhalb von drei Jahren (Doktorarbeit) abgeschlossen werden können.
In der Regel werden die Examensarbeiten von den Direktoren des Institutes Prof. Manfred Helm oder Prof. Jürgen Fassbender an der Technischen Universität Dresden akademisch betreut. Es können aber auch Examensarbeiten anderer Hochschulen und Fachhochschulen am Institut durchgeführt werden.
Für Doktorarbeiten sind die generellen Themengebiete die gleichen wie für Master-/Diplomarbeiten, jedoch muss auch eine Doktorandenstelle dafür verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie dazu einen der Professoren. Weitere Auskünfte, z. B. zur Aufwandsentschädigung bei Diplomarbeiten und zur Vergütung bei Doktorarbeiten, erteilen die Direktoren des Institutes.


Offene Doktorandenstellen:

  • Epitaxy and optical characterization of III-V semiconductor nanowires
    Tasks: Growth experiments using molecular beam epitaxy, characterization of nanowires with electron microscopy and optical/electrical methods, simulation of heterostructures with software packages (e.g. nextnano).
    Qualification: The ideal candidate would have a very good Master's degree in physics, materials science or electrical engineering (or any other relevant field), a strong background in solid-state physics (experience in a semiconductor laboratory is advantageous), and very good English language skills.
    For further information click here (PDF).
    Contact: Dr. Emmanouil Dimakis

Themen für Bachelor-, Master- und Diplomarbeiten:

Ionenstrahlzentrum
Magnetismus
Nanoelektronik
Spektroskopie
Halbleitermaterialien


Abteilung Ionenstrahlzentrum


Abteilung Magnetismus

  • Herstellung und Charakterisierung magnetischer Multilagensysteme für Funktionsmaterialien
    (experimentell)
    Typische Arbeiten in unserer Gruppe beschäftigen sich mit der Deposition (Magnetron Sputtern oder MBE) und strukturellen sowie magnetischen Charakterisierung von Dünnschichtsystemen und Nanostrukturen mit dem Ziel der Optimierung ihrer Eigenschaften für den Einsatz als magnetische Funktionsmaterialien im Bereich der Datenverarbeitung, Datenspeicherung und Sensorik. Die spezielle Charakterisierung kann hierbei auch in enger Zusammenarbeit mit einer oder mehrerer anderer Gruppen der Magnetismusabteilung abgestimmt werden. Typische Materialsysteme erstrecken sich von Multilagenschichten mit senkrechter Anisotropie über Austauschlagen-gekoppelte Schichten bis hin zu lateral nanstrukturierten oder granularen Systemen.
    Kontakt: Prof. Dr. Olav Hellwig, AG Magnetische Funktionsmaterialien
  • Ferromagnetische Resonanz einzelner Nanostrukturen mittels Mikroresonator-FMR
    (experimentell)
    Magnetische Nanostrukturen bilden die Grundbausteine für viele neuartige Anwendungsgebiete. Die Charakterisierung dieser Elemente z. B. mittels ferromagnetischer Resonanz ist aufgrund der kleinen Signale jedoch sehr diffizil. Lithographisch hergestellte Mikroresonatoren ermöglichen dennoch die Messung solcher Signale. Ziel dieser Arbeit ist die Herstellung der Resonatoren und Nanostrukturen mittels Elektronenstrahllithographie um, so die magnetischen Eigenschaften dieser Strukturen mittels ferromagnetischer Resonanz zu untersuchen.
    Kontakt: Dr. Kilian Lenz, AG Magnetisierungsdynamik

  • Magnonische Kristalle, hybride magnetische Materialien
    (experimentell)
    Als magnonische Kristalle werden künstlich hergestellte, magnetische Nanostrukturen bezeichnet. Diese Nanostrukturen werden mittels Elektronenstrahl-Lithographie hergestellt. Magnonische Kristalle weisen im Gegensatz zu normalen dünnen magnetischen Schichten neuartige und unerwartete Eigenschaften auf, die hier mittels modernster ferromagnetischer Resonanz (FMR) genau untersucht werden sollen. Das Hauptaugenmerk liegt vor allem auf den unterschiedlichen Beiträgen zur magnetischen Dämpfung der Spinbewegung (Relaxation). Durch Analyse der FMR-Linienbreite können diese identifiziert und aufgeschlüsselt werden, um sie mit gängigen Modellen und Theorien zu vergleichen.
    Kontakt: Dr. Kilian Lenz, Dr. Kay Potzger, AG Magnetisierungsdynamik

  • Strukturelle und magnetische Eigenschaften von Materialien für die Energiewende
    (experimentell)
    Die Energiewende erfordert in vielen Bereichen neue Materialien und deren detaillierte Charakterisierung. In dieser Master/Diplomarbeit sollen für die Energiewende relevante Metallverbindungen bezüglich defektinduzierter strukturellen und magnetischer Eigenschaften hin untersucht werden. Schwerpunkte bei diesen grundlegenden Analysen sind die Korrosion als auch die Wasserstoffaufnahme.
    Kontakt: Dr. Kay Potzger
  • Wechselwirkung von Spinwellen mit Spinströmen
    (experimentell)
    Die Nutzung des Spinfreiheitsgrades von Elektronen und dessen kohärenter Transport ist ein zentraler Forschungsschwerpunkt moderner Festkörperphysik. Spinwellen, auch als Magnonen bezeichnet, sind die Anregungsquanten eines Ferromagneten und können über diverse Effekte mit Spinströmen, d.h. spinpolarisierten Elektronen, wechselwirken. Diese Wechselwirkung wird in einer Bachelor- bzw. Masterarbeit mit Hilfe magneto-optischer Methoden wie z. B. zeitaufgelöster Kerr-Mikroskopie und Brillouin-Lichtstreu-Mikroskopie charakterisiert.
    Kontakt: Dr. Helmut Schultheiss


Abteilung Nanoelektronik


  • Charakterisierung nanomechanischer Resonatoren
    (Experiment; Dr. A. Erbe, T. 0351/260 2366, a.erbe(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Nanomechanische Resonatoren bieten breite Anwendungsmöglichkeiten als Sensoren und sind auch für die Grundlagenforschung interessant, weil mit ihnen quantenmechanische mechanische Bewegung untersucht werden kann. Für beide Bereiche ist es allerdings notwendig, dass die mechanische Bewegung nicht zu stark gedämpft wird. Ursachen für Dämpfungsmechanismen auf der Nanometerskala sind noch weitgehend unbekannt. Ziel der Diplomarbeit ist es das Dämpfungsverhalten nanomechanischer Resonatoren durch systematische Variation von Größe der Resonatoren und Art der Umgebungsbedingungen zu untersuchen.

  • Molekulare Elektronik
    (Experiment; Dr. A. Erbe, T. 0351/260 2366, a.erbe(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Stromtransport durch einzelne Moleküle eröffnet die Möglichkeit elektronische Bauelemente auf kleinstmöglichen Längenskalen zu produzieren. Für solche Anwendungen müssen die elektronischen Eigenschaften von Metall-Molekül Kontakten verstanden werden. Wir haben Techniken entwickelt, die die kontrollierte Kontaktierung einzelner Moleküle erlauben. Ziel der Diplomarbeit ist es, diese Techniken so zu erweitern, dass ferromagnetische Zuleitungen an die Moleküle angekoppelt werden können. In einem solchen System kann der Spin der Elektronen zur Steuerung der elektronischen Eigenschaften ausgenutzt werden.

    Molecular Electronics
    (Experiment; Dr. A. Erbe, T. 0351/260 2366, a.erbe(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Current transport in single molecules opens the possibility to create electronic devices on the smallest possible length scale. For these application we need an understanding of the electronic properties of the metal molecule junctions. We developed methods to contact single molecules in a controllable manner. Aim of the theses is to develop these techniques to contact ferromagnetic leads to the molecules. Such a systems allows to use the spin of the electrons as a control variable.

  • Berechnung des Transports durch Nanostrukturen
    (Theorie; Dr. P. Zahn, T. 0351/260 3121, p.zahn(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Einzelne Nanostrukturen als Bausteine für zukünftige kleinste elektronische Funktionsstrukturen müssen besondere Anforderungen erfüllen: sie müssen ausgedehnte elektronische Zustände aufweisen, durch welche der Transport erfolgt, und über geeignete Kontaktstellen verfügen, die wohldefiniert an Elektroden anbinden und den Übergang von Ladungsträgern von und zu den Elektroden ermöglichen. Diese Voraussetzungen wie auch die Robustheit gegenüber chemischen und thermischen Umgebungseinflüssen unter Arbeitsbedingungen erlegen der Auswahl geeigneter Strukturen Randbedingungen auf, die im vorliegenden Projekt untersucht werden sollen. In enger Zusammenarbeit mit experimentellen Arbeiten zu Molekülen im mechanisch kontrollierten Bruchkontakt sowie an nanostrukturierten Materialien führen Sie numerische Simulationsrechnungen zu Stabilität und Transportverhalten durch, aus denen Sie allgemeinere Gesetzmäßigkeiten zu Zusammensetzung, Struktur und Größe geeigneter Nanostrukturen ableiten.

    Calculation of electronic transport in nanostructures
    (theory; Dr. P. Zahn, T. 0351/260 3121, p.zahn(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Single nanostructures have to fulfill certain conditions to allow for application as functional devices: electronic states which carry the current and contact positions for electrode coupling have to be provided. These prerequisites and their robustness against chemical and environmental effects should be investigated. Numerical simulations of stability and transport properties should point to composition, structure and size of appropriate nano-structures. A strong collaboration with experiments at molecules in mechanically-controllable break-junctions and at nano-structured materials is expected.

  • Stromtransport durch einzelne Moleküle mit mechanisch kontrollierbaren Bruchkontakten
    (Experiment; Dr. A. Erbe, T. 0351/260 2366, a.erbe(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Einzelne Moleküle sollen als Bausteine für zukünftige Nanoelektronik genutzt werden. Um in einem ersten Schritt die elektronischen Eigenschaften der Moleküle zu untersuchen, müssen die Moleküle reproduzierbar kontaktiert werden und der Stromtransport durch die entstehenden Strukturen gemessen werden. Zu diesem Zweck wird die Methode der mechanisch kontrollierbaren Bruchkontakte angewandt. In dieser Methode wird ein metallischer Draht gezogen, bis er so dünn ist, dass nur noch ein einzelnes Atom an der Stromleitung teilnimmt. Weiteres Auseinanderziehen des Drahtes führt zu einem Tunnelkontakt zwischen zwei einzelnen Atomen, in den dann die Moleküle eingebunden werden können. Dieser Aufbau erlaubt die elektrische Charakterisierung einzelner Moleküle unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.

  • Aktive Schwimmer in kolloidalen Suspensionen
    (Experiment; Dr. A. Erbe, T. 0351/260 2366, a.erbe(at)hzdr.de, AG Nanomaterials and Transport)
    Kolloidale Teilchen können als Modellsysteme für Vorgänge auf der Mikro- und Nanometerskala verwendet werden. Teilchen, die halbseitig mit einer metallischen Kappe versehen sind, lassen sich durch katalytische Reaktionen in Bewegung versetzen. Diese Bewegung erinnert dann stark an die Bewegung von Bakterien. Studien in eingeschränkten Geometrien erlauben dann einen Einblick, wie sich Organismen zum Beispiel in Arterien fortbewegen.


Abteilung Spektroskopie

  • Efficient emitters for THz radiation

    (experimental)

    Generating electromagnetic radiation at THz frequencies has always been more challenging than in other frequency bands. Our goal is to improve the performance of current THz emitters and to design, fabricate and test new photoconductive THz emitters. Smallest features of these emitter device structures are µm and sub-µm. For device fabrication we use electron beam and photo lithography techniques. Device characterization makes use of ultrafast spectroscopic techniques with femtosecond lasers. Students interested in conducting research / pursuing a master thesis will participate in the following topics:

    • Optimizing material properties for THz device applications. Typical materials for THz emitters include semiconductors and nonlinear optical crystals: GaAs, InGaAs, Ge, Si, ZnTe, GaP, etc.

    • Improving antenna structures and overall device layout for more efficient THz emission.

    Contact: Dr. Stephan Winnerl

  • Graphene related materials for optoelectronics

    (experimental)

    Monolayer graphene and bilayer graphene are semimetals with zero band gap. In bilayer graphene, however, a small band gap can be opened by applying an electric field perpendicular to the layer. Graphene of high structural quality features very high carrier mobilities, in particular, when the material is charge neutral.

    For experiments with ultrashort laser pulses, well characterized graphene monolayer and bilayer samples with different doping levels are needed. The main tools for characterization are Raman spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy. 

    Graphene offers various mechanisms that can be exploited for photodetection. Particularly strong photocurrents, exceeding one electron per photon, have been demonstrated for asymmetrically illuminated free-standing graphene flakes in magnetic fields. This is a hint for carrier multiplication at the edges of the sample. We intend to perform experiments on large-area samples of high quality that will enable to characterize the detection process not only in the visible spectral range but also in the mid-infrared and terahertz range.
    Contact: Dr. Stephan Winnerl

  • Growth and properties of III-V semiconductor nanowires
    (experimental)
    III-V compound semiconductors are a class of materials with outstanding electronic and optoelectronic properties (high electron mobility, wide range of direct energy band gaps, etc.). High-speed transistors, efficient light emitting diodes, and solid-state lasers are only some of the devices widely used in our everyday lives, e.g. in smart phones, blu-ray technology, wireless local-area networks, LED displays, etc. In the era of nanotechnology, we focus our research on new physical phenomena that occur in III-V nanostructures. Such phenomena may enhance the performance of the aforementioned devices or open ways to novel device architectures. Students interested in conducting research / pursuing a master thesis in our laboratory would be involved with one or more of the following topics:
    • growth of III-As (arsenide) nanowires and thin films by molecular beam epitaxy
    • investigation of their structural, electrical, and optical properties using x-ray diffraction, Hall-effect, photoluminescence, etc.
    • investigation of the growth mechanisms using in-situ reflectometry
    Contact: Dr. Emmanouil Dimakis


Abteilung Halbleitermaterialien

We are continuously looking for Bacholar or Master (Diploma) students. If you are interested in working in our group, please contact the responsible persons.

  • Preparation of B20 transition metal silicides by flash lamp annealing

B20-type transitional metal mono-silicides (TM-Si) have attracted great attentions due recently discovered or predicted new physics e.g. Skyrmions, topological Hall effect as well as unconventional chiral Fermions. We will prepare the transition metal silicides in a different way by using flash lamp or pulsed laser melting. Trransition metal films will be deposited on Si substrates. The deposit transition metal thin films will react with Si within milli-second upun flash lamp annealing. You task is to prepare B20 alloy thin films and characterize the structural, magnetic and magneto-transport properties of the obtained samples.

Contact: Dr. Shengqiang Zhou (s.zhou(at)hzdr.de).

  • 2D materials for optoelectronics and spintronics

For many 2D materials, controllable doping is still not yet solved. The ion implantation followed by thermal annealing is the most established doping technology commonly used in Si-based nanoelectronics. The development of the implantation and annealing schema for the doping of 2D materials is the main goal of current proposal and will allow to modify the conductivity (e.g. n-type or p-type doping) or valley polarization. You will use ion beam for the doping or modification of interesting 2D materials. The characterization methods include temperature dependent photoluminescence and Raman as well magnetic/magneto-transport measurements.

Contact: Dr. Slawomir Prucnal (s.prucnal(at)hzdr.de) and Dr. Shengqiang Zhou (s.zhou(at)hzdr.de).

  • Superconducting Ge for quantum technology

Since the discovery of superconductivity in diamond [E. A. Ekimov, et al., Nature 428, 542 (2004)] with boron content above the equilibrium solid solubility many studies have been performed to find new “superconducting semiconductors”. Such a materials class would enable the monolithic integration of quantum and conventional electronics. Indeed, several groups found superconductivity even in the technological more relevant semiconductors like Si [E. Bustarret, et al. Nature 444, 465 (2006)], Ge [T. Herrmannsdörfer, et al., Phys. Rev. Lett. 102, 217003 (2009)] and SiC [T. Muranaka, et al., Sci. Technol. Adv. Mater., 9, 044204 (2008)] after heavy hole doping. It is an unresolved question whether superconducting semiconductor films and nanowires can be fabricated at all by todays’ top down selective doping technologies and which semiconductor-acceptor combination is most promising. Your task is to prepare superconducting, single crystalline Ge (film and nanowire) by ion implantation. You will measure the electrical and structure properties of the fabricated materials.

Contact: Dr. Slawomir Prucnal (s.prucnal(at)hzdr.de) and Dr. Shengqiang Zhou (s.zhou(at)hzdr.de).

  • Single color centers in silicon

Silicon nanophotonics has become one of the most promising photonic-electronic integrated platforms triggered by high demand in the realm of information technology to increase communication and computation bandwidth. This is mostly due to the very high refractive index contrast of Si with Si-based compounds and the maturity level of the existing complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technology, which enables the fabrication of photonic integrated circuitry in a highly economic way. Waveguides and photodetectors have successfully been integrated in a Si photonic chip. However, the main difficulty nowadays in obtaining a fully photonic integrated circuitry lies in the development of an efficient light source, since the indirect nature of the Si band gap hinders efficient light emission for such a purpose. Your work will be devoted to create, in a controllable manner, single color centers in silicon by ion beam irradiation with nanometer-scale precision and their further integration into high-quality photonic cavities to achieve an efficient single-photon source.

Contact: Dr. Yonder Berencen (y.berencen(at)hzdr.de).

  • Hyperdoped Si by deep level impurities

The hyperdoping of semiconductors consists of introducing dopant concentrations far above the solubility limits. This can be achieved by ion implantation and pulsed laser melting. Hyperdoing leads to a broadening of dopant energy level into an impurity or intermediate band. We have recently demonstrated that hyperdoping Si with Se or Te shows promise for Si-based short-wavelength infrared photodetectors [Y. Berencén, et al., “Room-temperature short-wavelength infrared Si photodetector” Sci. Rep. 7, 43688 (2017) and M. Wang et al., "Extended Infrared Photoresponse in Te-Hyperdoped Si at Room Temperature" Physical Review Applied 10, 024054 (2018) ]. The hyperdoped semiconductors are meta-stable materials and may undergo deactivation upon thermal processing even at low temperature. Your task is to investigate the effect of rapid thermal annealing on hyperdoped Si. You will measure the structural, electrical and optical properties and find their correlation.

Contact: Dr. Yonder Berencen (y.berencen(at)hzdr.de) and Dr. Shengqiang Zhou (s.zhou(at)hzdr.de).