Hochenergie-Ionenimplation in Halbleitersubstrate

Bestrahlung und/oder Dotierung von Halbleitersubstraten bzw. prozessierten elektronischen Bauelementen zur Erzeugung von Dotierungs- bzw. Strahlenschadensprofilen:

• Hochenergie-Implantation (He, Pt, Au) zur Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter-Bauelementen (Dioden, MOSFET's, IGBT's)
• Erzeugung tiefreichender Dotierungsprofile (B, P bis einige 10 µm Eindringtiefe) zur Entwicklung neuer Bauelementekonzepte der Leistungselektronik
• Vergrabene Dotierungsprofile zur Feldstärkemodifizierung bei Detektoren und Sensoren (z.B. Avalanche-Fotodioden)
• Verbesserung der Emissionscharakteristik von Laserdioden
  

Energiebereich:	400 keV bis ca. 30 MeV (je nach Ionenart)
Dosisbereich:	109 bis 1015 At/cm²
Ionenarten:	He sowie nahezu alle negativ ionisierbaren Elemente
Substrate:	Standard-Wafer 2" bis 8" Durchmesser, Substratdicke beliebig (ca. 100 µm bis mehrere mm), unregelmäßige Proben