Nasschemische Wafer-Reinigung und isotropes Ätzen dünner Schichten



 
 

 

Die nasschemischen Prozesse sind notwendig für Aufgabenstellungen der Halbleiterforschung des Institutes und beinhalten folgende Standard-Techniken:
 

Standard-Reinigung für Silizium-Wafer RCA-1-(SC-1)-Reinigung (NH4OH/H2O2/H2O) 

RCA-2-(SC-2)-Reinigung (HCl/H2O2/H2O) 

Piranha-(SPM)-Reinigung (H2SO4/H2O2)

Spezielle Reinigungs-Techniken Hydrophilierung von Si-Oberflächen (z.B. für Silizium-Wafer-Bonden)
Standard Siliziumoxid-Ätzung Verdünnte HF (DHF), (HF/H2O) 

Gepufferte Oxid-Ätzung (BOE), (HF/NH4F/H2O)

Langsame isotrope Si-Ätzung HF/HNO3 Lösung mit definierter Ätzrate zwischen 6 und 1000 nm/min
Standard Siliziumnitrid-Ätzung Heiße H3PO4
Metal--Kontaktschicht-Ätzung H3PO4/HNO3/H2O and H3PO4/HNO3/H2O + TMAH 

entsprechend für Al-Kontaktschicht-Ätzung und Al/Si-Kontaktschicht-Ätzung

Spezielle Ätz-Techniken für: Metalle,Gläser, poly-Si, etc.