Thermische Prozesse



Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:
 
 

 

 
 

Zwei Horizontal-Ofenanlagen mit drei Quarzrohren, DA62 (ELEKTROMAT)
 

Arbeitstemperaturen
 
300...1150 °C
Prozessgase
 
O2 (feucht und trocken), O2+HCl, N2, N2+5%H2, Ar+7%H2 , Reinheit 5.0
Wafer-Durchmesser
 
max. 100 mm
Wafer-Anzahl
 
max. 50
 
 
 
 
 
Prozesse
 
Trocken-Oxydation
 
Wachstum von Gate-Oxiden, dox = (50...250) nm 
Gase: O2, trocken, O2+3% HCl, trocken 
Temperatur-Bereich: (900...1100) °C
 
Feucht-Oxydation
 
Wachstum von dicken Feld-Oxiden, dox = (300...1500) nm 
Gas: O2, feucht 
Temperatur-Bereich: (900...1150) °C
 
 
Temperung
 
Ausheilung von Strahlendefekten nach Ionenimplantation 
Drive-in-Diffusion nach Implantations-Vorbelegung 
Metalkontakt-Formierung unter N2, Ar, N2+5%H2, Ar+7% H2 
Temperatur-Bereich: (300...1150) °C