Im Labormaßstab sind Modellexperimente ein häufig ­verwende­ter Ansatz für industrielle Prozesse wie die Czochralski-Kristallwachstums-Methode. Aufgrund der Verfügbar­keit geeigne­ter Messtechniken wurde die niedrigschmelzende Legie­rung GaInSn, die bei Raumtemperatur flüssig ist, mittlerweile zum de-facto-Standard.

Bei der Ribbon Growth on Substrate (RGS) Techno­logie handelt es sich um eine Kristallisations­technik, welche eine direkte und effiziente Herstel­lung von Silizium-Wafern und Hightech-Siliciden in dünnen Schichten ermöglicht. Ein sinnvolles Niveau an Stabilität und Kontrolle des Prozesses lässt sich dabei jedoch nur durch den Einsatz maßgeschneider­ter magnetischer Wechselfel­der erreichen. Um diese Fel­der auszulegen und um deren komplexe Wechselwirkung mit der Schmelzströmung zu ­verstehen benötigt man spezialisierte numerische Tools.