Kontakt

Dr. Ciaran Fowley

Gruppenlei­ter Reinraum

Prozess­techno­logie und Devices
c.fowleyAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3253

Eye catcher

Fotolithografie

Für die fotolithografische Strukturierung von Metall-, Halbleiter- oder Isolator-Schichten, wie Al, Al/1.5%Si, Au, Cr, Ta, a-Si, a-Ge, SiO2, Si3N4, ... stehen die folgenden Ausrüstungen zur Verfügung:

Justier- und Belichtungsanlage MA4 (SÜSS Microtech)
Substrate bis 100 mm Substrate
Anwendung ein- und beidseitige fotolithografische Strukturierung von Metall-, Halbleiter- und Isolator-Schichten auf Halbleiter- und Glassubstraten
Justier- und Belichtungsanlage MA6 (SÜSS Microtech)
Substrate bis 150 mm Substrate
Anwendung siehe MA4
Spin-Coater GYRSET RC 518 (SÜSS)
Substrate bis 100 mm Substrate
Anwendung Aufschleudern von Fotoresist im Dickenbereich 0,2 bis 20 µm
Spin-Coater APT Polos (SPS Europe B.V.)
Substrate bis 150 mm Substrate
Anwendung siehe GYRSET RC 518

XY-Abmessungen und Genauigkeiten der strukturierten Schichten können mittels optischer Mikroskopie in Kombination mit einer CCD-Kamera und der interaktiven Messeinrichtung MFK II kontrolliert und ausgemessen werden.


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