Kontakt

Dr. Ciaran Fowley

Gruppenlei­ter Reinraum

Prozess­techno­logie und Devices
c.fowleyAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3253

Eye catcher

Dünnschichtabscheidung

Für die Dünnschicht-Abscheidung wird ausschließlich die physikalische Dampf-Abscheidung (PVD) mit geringer thermischer und Strahlenbelastung der Proben eingesetzt. Als Verfahren werden das DC- und RF-Hochrate-Magnetronsputtern, die Elektronenstrahl-Verdampfung und die thermische Tiegelverdampfung verwendet.

Das Verfahren des reaktiven Sputterns hat den Vorteil, von elementaren Sputtertargets durch Beimischen von reaktiven Gasen, wie O2 und N2, zum Trägergas Ar Verbindungsschichten (Oxide, Oxynitride, Nitride) auf den Proben abzuscheiden. Durch Sputtern im RF-Mode ist auch die Abscheidung von Isolatortargets möglich. Weiterhin stehen Substratheizung oder -kühlung, Bias-Sputtern und Sputter-Ätzen zur Verfügung.

Die Sputteranlage ist mit einem Restgas-Analysator und zwei optischen Emissions-Spektrometern zur Kontrolle der Restgaszusammensetzung sowie der Plasmaparameter ausgerüstet.

Sputteranlage NORDIKO 2000 (NORDIKO Ltd.)

Optionen 4 Magnetron (Targetdurchmesser 200 mm)
2 Magnetron, im DC-Mode
2 Magnetron, im DC- oder RF-Mode
Leistung PDC =5 kW
PRF =2 kW 
Prozessgase Ar oder Ar+7%H2
Reaktivgase O2, N2
Substrat/Target-Abstand 55...130 mm
Substrate-Durchmesser 200 mm
Substrate-Dicke < 25 mm
Verfügbare Targets Al(5N), Al(1.5% Si), poly-Si, SiO2/Ge, Ta(3N) für die Abscheidung von Al, SiO2, Si- und Ge-reichen SiO2-Schichten, Ta und Ta2O5
Betriebsregime Automatischer und manueller Betrieb
Zusatzeinrichtungen
  • Substrat-Heizung (100 < T(°C) < 500)
  • Substrat-Kühlung (15 °C)
  • LN2 Falle
Prozess- Monitoring
  • Restgas-Analyser MPS (FERRAN Scientific) 
  • 2 Optische Emissionsspectrometer VM 3000 (VERITY Instr.) 
  • Controller für reactive Sputterprozesse (MEGATECH)
Waferschleuse Einzel-Wafer-Beschickung

Bedampfungsanlage LAB 500 (Leybold Optics GmbH)

Optionen 2 x thermische Verdampfer
1 x 4-Tiegel Elektronenstrahl-Verdampfer
Max. Leistung Pe-gun = 5 kW
Pthermal = 2 kW
Verdampfer-Substrat-Entfernung 450 mm
(ausgelegt für Lift-Off-Prozesse)
Max. Substratdurchmesser

100 mm

Substratdicke < 25 mm
Verdampfer-Material Al(5N), Au(5N), Cr, Ni, Ta, Ge, B, …
Betriebsarten Automatischer und manueller Betrieb
Prozeßkontrolle EGC38, Elektronenstrahl Controller
Schwingquarz Controller XTC/2
SPS Omron SPS CS1-CPU44
11” Color Touch-Screen-Terminal NT631C

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