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Porträt Dr. Bischoff, Lothar; FWIZ-N

Dr. Lothar Bischoff

Nano­struk­turen durch fokussierte Elek­tronen­ und Ionen
Legie­rungs­flüssignetall-Ionen­quellen
Ionen­induzierte Nano­struk­turen
l.bischoffAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2866
+49 351 260 2963

Defektbildung und dynamische Ausheilung bei FIB-Implantation

DFG – Projekt Te 250 / 1-1      06/1996 – 02/2000   Dr. Stephan Hausmann

Bei der FIB Implantation kann die Ionenstromdichte (bzw. der Ionenfluss) über 6 Größenordnungen geändert werden, indem die Scan-Geschwindigkeit des Ionenstrahls variiert wird. Im quasi-stationären Fall kann eine Ionenstromdichte von 10 A/cm2 erreicht werden. Wird der Strahl schnell über die Probe gescannt (Pixel-Verweilzeit < 1 µs), kann die Ionenstromdichte in den Bereich von µA/cm2 abgesenkt werden. In Zusammenarbeit mit der Theoriegruppe unseres Institutes wurden in einem großen Bereich des Ionenflusses die Mechanismen der Defektbildung und des dynamischen Ausheilens in Si, Ge und SiC in Abhängigkeit von der Implantationstemperatur untersucht.

Relativer Schaden in Ge in Abhängigkeit von der Ga-FIB Ionenstromdichte und Implantationstemperatur

Relativer Schaden in Ge in Abhängigkeit von der Ga-FIB Ionenstromdichte und Implantationstemperatur (gemessen mit Channeling-RBS). Die schwarze und rote Kurve steht für Implantation bei Raumtemperatur, die grüne und blaue für Implantation bei 250°C. "Single scan" entspricht einem Ionenfluss von 1019cm-2s-1, "PDT=2µs" entsprechen 1012cm-2s-1.

 

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