Grenzflächenmagnetismus

Kontakt

Dr. Kay Potzger
Projektgruppenleiter
Tel.: 0351-260-3244, 2411
E-Mail: k.potzger@hzdr.de


Mitarbeiter

Dr. Rantej Bali

Jonathan Ehrler

Dr. Maciej Oskar Liedke

Anna Semisalova

Naren Srinivasan


Ehemalige Mitarbeiter

Alireza Heidarian
Alevtina Smekhova
Julius Beck

Oguz Yildirim
Steffen Cornelius
Camilo Otalora

Daniel Blaschke
Maik Butterling
Nico Spahn
Falk Meutzner
Armin Haase

Tim Andrae
Kerstin Bernert
Nikolas Blum
Marcel Höwler

Tina Nestler
Julia Osten
Artem Shalimov
Georg Talut
Gufei Zhang
Shengqiang Zhou


Treffen

-FWIN-G -Treffen donnerstags um 12:45 (Meeting minutes)


Downloads

PREM (Preisach Simulationen)

MBE Probenblatt

Weitere Anleitungen für MBE: O:\Labs\MBE_712_108_108a


Vorlesungen

-Magnetische Materialsysteme, TUBA Freiberg, Sommersemester

Spin tranfer torque Effekte an metallischen Multilagen und Tunnelstrukturen

Finanzierung: BMBF, FKZ 13N10144

Kooperation:

Dr. Roland Mattheis, IPHT Jena

Dr. Dima Berkov, INNOVENT Jena

Zusammenfassung

Der Spin-Transfer-Torque (STT) Effekt war ursprünglich als störender Effekt in GMR Multilagenstrukturen entdeckt worden. Heutzutage stellt er einen vielversprechenden Ansatz zum direkten Umschalten von magnetischen Bits in Datenspeichern mittels Strompulsen bzw. zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung im GHz-Bereich durch erzwungene Oszillation der Magnetisierung dar. Für eine ausreichende Speicherdichte sollten die STT Multilagenelemente Durchmesser von maximal 200 nm aufweisen. Die Verwendung von GMR und TMR, d.h. Magntowiderstandselementen, ermöglicht das Schreiben und Auslesen der gespeicherten Information über den elektrischen Widerstand und nicht über da magnetische Feld. Unser Projekt befasst sich mit der Herstellung der Elemente sowie deren Kontaktierung mittels Schichtabscheidung und Elektronenstrahl-Lithographie sowie dem Verständnis der durch die Strompulse ausgelösten Schaltvorgänge der Magnetisierung.


Abbildungen

Nanopillar basierend auf einer TMR Multilage (exemplarisch) sowie Schaltverhalten des Magnetowiderstandes bei anlegen äußerer magnetischer Felder

pillars4 Links: Querschnittsaufnahme eines elektrisch kontaktierten TMR Nanopillars

Rechts: Elektronenmikroskopische Aufnahme eines freigelegten Nanopillars

switch Links: Hysteresen des Magnetowiderstandes vs. Gleichstrom in Abhängigkeit vom magnetischen Feld

Rechts: Veränderung des kritischen Schaltstromes IC mit Anlegen eines magnetischen Feldes

Publikationen

In Vorbereitung