Contact

Dr. Matthias Posselt
Ion Induced Nanostructures
m.posseltAthzdr.de
Phone: +49 351 260 - 3279, 2199
Fax: 13279, 3285

Gruppenmitglieder Grundlagen und Simulation

NameGeb./Raum+49 351 260Email
Bischoff Dr., Lothar712/1462866
2963
l.bischoffAthzdr.de
Creutzburg, Saschas.creutzburgAthzdr.de
El-Said Dr., Ayman Sherifa.s.el-saidAthzdr.de
Facsko Dr., Stefan712/2252987
s.facskoAthzdr.de
Heinig Dr., Karl-Heinz712/3013288
2199
k.h.heinigAthzdr.de
Hlawacek Dr., Gregor712/2093409
g.hlawacekAthzdr.de
Malsch, Gerald707/2132914
g.malschAthzdr.de
Möller Prof. Dr., Wolfhard2245
w.moeller@hzdr.de
Posselt Dr., Matthias801/P1013279
2199
m.posseltAthzdr.de
Serralta Hurtado de Menezes, Eduardoe.serraltaAthzdr.de
Skorupa, Ilona707/103a2724
2505
i.skorupaAthzdr.de
Vallinayagam, Muthu801/P1533373
m.vallinayagam@hzdr.de
Wang, Xiaoshuang801/P1533373
x.wangAthzdr.de
Wilhelm Dr., Richard Arthur712/2092834
3294
r.wilhelmAthzdr.de
Xu, Xiaomo712/3012377
xiaomo.xuAthzdr.de
Zimmermann, Lutz712/2143101
l.zimmermannAthzdr.de

Ehemalige Mitarbeiter der Gruppe Grundlagen und Simulation

  • Jasmin-Mathelda Abdou
  • Dr. Karsten Albe
  • Dr. Ahmed Al-Motasem
  • Stefan Baldauf
  • Dr. Alexander Bakaev
  • Dr. Alexander Belov
  • Volkhard Beyer 
  • Dr. Evgueni Chagarov
  • David Friedrich
  • Dr. Alice-Agnes Gabriel
  • Dr. Sibylle Gemming
  • Henning Geßner
  • Clemens Gütter
  • Dr. Timo Hauschild
  • Dr. Sabine Hengst
  • Dr. Karl-Heinz Heinig
  • Axel Hübl
  • Dr. Hans-Ulrich Jäger
  • Dr. Michael Jentschel
  • Jeffrey Kelling
  • Andreas Kranz
  • Dr. Tim Kunze
  • Dr. Andrei Lebedev
  • Dr. Bartosz Liedke
  • Dr. Richard Mathar
  • Dr. Klaus Morawetz
  • Dr. Torsten Müller
  • Dr. Devaraj Murali
  • Dr. Satoshi Numazawa
  • Dr. Volker Pankoke
  • Dr. Stefan Reiss
  • Dr. Lars Röntzsch
  • Marcel Schiwarth
  • Bruno Schmidt
  • Dr. Torsten Schwieger
  • Dr. Matthias Strobel
  • Dr. Mina Talati
  • Dr. Mike Thieme
  • Robert Wenisch
  • Dr. Clemens Wündisch
  • Dr. Matthias Zschornak

Gastwissenschaftler (seit 1997)

  • Dr. A. Antons (FZ Jülich)
  • Dr. V. Borodin (RRC,Kurchatov Institute, Moscow)
  • Dr. V. Belko (Belorussian State University, Minsk)
  • Prof. Dr. H. Bernas (CSNSM, Paris-Orsay)
  • Dr. Fei Gao (Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA)
  • Dr. Ram Devanathan (Indian Institute of Technology, Madras, Chennai)
  • Dr. V. Kuzmin (Joint Institute for Nuclear Research, Dubna)
  • Dr. E. Alonso (Federal Institute of Technology, Zuerich)
  • Dr. C. Zechner (ISE Integrated Systems Engineering AG, Zuerich)
  • Serene Chan Hay Yee (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore)
  • G. v. Hayn (RWTH Aachen)
  • V. Kharlamov (Ioffe Institute, St. Petersburg)
  • Dr. Xuan Luo (CAS, Institute of Physics, Beijing)
  • Dr. D. C. Mueller (Federal Institute of Technology, Zuerich, Switzerland)
  • Prof. P. Olsson (KTH Stockholm)
  • Dr. G. Odor (KFKI Budapest)
  • Dr. M. Ridgeway (National University, Canberra)
  • Dr. M.-O. Ruault (CSNSM, Paris-Orsay)
  • Prof. R. Smith (Loughborough University)
  • Dr. A. Ster (KFKI Budapest)
  • M. Swart (Univ. of the North, Sovenga, South Africa)
  • Dr. A. Volkov (RRC,Kurchatov Institute, Moscow)
  • Dr. E. Zhurkin (Ioffe Institute, St. Petersburg)
  • Dr. H.-B. Zhou (Beihang University, Beijing)

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Dr. Matthias Posselt
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