Ionenimplanter

Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen in Form von Ionen in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials ändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichnet. Die Ionenimplantation ist verfügbar für Industrieprojekte und -service sowie für grundlegende und anwendungsorientierte Untersuchungen zur Modifizierung oberflächensensitiver Eigenschaften, insbesondere Härte, Reibung, Verschleiß, Ermüdung, Haftfestigkeit, Korrosion von Metallen und anderen Werkstoffen, für Dotierung, Synthese, Nanostrukturierung und Defektengineering im Halbleiterbereich.

Das Ionenstrahlzentrum betreibt Ionenimplanter mit 500 kV und 40 kV maximaler Beschleunigerspannung.

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500 kV Ionenimplanter

	Hersteller:	High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
	Ionenquelle:	IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
	Energiebereich:	10 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
	Scanprinzip:	doppelt elektrostatisch
	Implantationskammern:	4

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

  

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40 kV Ionenimplanter

	Hersteller:	Danfysik A/S, Denmark, Model 1050
	Ionenquelle:	Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb
	Energiebereich:	100 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen)
	Scanprinzip:	doppelt elektrostatisch
	Implantationskammern:	1

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter finden Sie hier.