Kontakt

Dr. Roman Böttger

Prokurist, Direktor Ionentechnologie
HZDR Innovation GmbH
r.boettgerAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2873

Die Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Substrate: Wafer oder kleinere Proben
Substratgröße: 0.3 x 0.3 cm2 bis 6" Wafer
Implantationsfläche: max. 150 x 150 mm
Implantationswinkel: 0° und 7°, andere Winkel auf Anfrage
Substrattemperatur: Stickstoffkühlung für 2" Wafer,
bis 800 °C für 1x1 cm2 Proben
Fluenzbereich: 1012 bis 1017 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

Kontakt

Dr. Roman Böttger

Prokurist, Direktor Ionentechnologie
HZDR Innovation GmbH
r.boettgerAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2873