Ionentechnologie - Implantations- & -bestrahlungsbedingungen

Folgende Tabelle gibt einen schnellen Überblick über die Implantations-/Bestrahlungsparameter, die an unseren Anlagen realisierbar sind. Im Einzelfall kann es zu Einschränkungen bei der Kombination bestimmter Bestrahlungsparameter kommen. Bitte kontaktieren Sie uns; wir beraten Sie gern.

Ionenspezies

H - Bi

(Molekül- und Clusterionen & Isotopentrennung möglich)

kein Deuterium, keine radioaktiven Ionen 

Ionenenergie

30 eV - 55 MeV

Interaktionstiefe

wenige Ångström bis zu ~150 µm (in Si)

Fluenzen

107 - 1022 cm-2 

Probengröße

bis zu Ø 200 mm

Einfallswinkel

0° - 90° 

Ionenstrahlstrom

pA - mA (abh. von Ion und Energie)

Probenkühlung

mittels flüssigem Stickstoff möglich 

Probenheizung

bis 1100 °C 

Vakuum

< 2.5 x10-6 mbar (typisch)

Spezielle
Endstationen

für kontinuierliche Probenrotation

für hochgeladene Ionen

Sonstige
Besonderheiten

elektrische in-situ Messung von Proben,
definierter Partialgasdruck

Luftreinheit

bis Klasse 5 (DIN EN ISO 14644)