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Ulrich Kentsch
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Technology & end stations for ion irradiation

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Available ions

High-energy ion implantation

Ion implantation

Ionenimplanter

Das Ionenstrahlzentrum betreibt drei Ionenimplanter mit maximalen Beschleunigungsspannungen von 500 kV, 200 kV und 40 kV. Damit können Ionenstrahlen mit Energien zwischen 100 eV und 2 MeV zur Verfügung gestellt werden. Deutlich höhere Ionenenergien können an unseren Hochenergie-Ionenbeschleunigern realisiert werden.

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500 kV Ionenimplanter

Der 500 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
Ionenquelle: IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 10 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 4

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

200 kV Ionenimplanter

Der 200 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1090
Ionenquelle: Heißkathode, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 20 - 200 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt magnetisch / elektrostatisch (Kammer 1/2)
Implantationskammern: 2

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammern am 200 kV Ionenimplanter finden Sie hier.

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40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1050
Ionenquelle: Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 100 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 1

Eine detallierte Beschreibung der Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter finden Sie hier.


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