Präparation von Halbleitermaterialien

Im Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V. werden Halbleiter-Präparationsprozesse für Silizium und andere Halbleitermaterialien, wie GaAs, SiC und Diamant, durchgeführt (Bild: Moderne 3-Rohr-Horizontal-Diffusionsanlage zur thermischen Prozessierung von Si-Wafern bis 150 mm Durchmesser).

Die technologischen Ausrüstungen im Klasse-100-Reinraum sind ausgelegt für:

Prozess-Technologien

• Nasschemische Wafer-Reinigung und isotropes Ätzen dünner Schichten
• Nasschemisches anisotropes und selektives Ätzen von kristallinem Silizium
• Fotolithografische Strukturierung (beidseitig)
• Reaktives Ionen-Ätzen (SF6, CF4)
• Thermische Oxydation, Diffusion und Temperung
• Thermische Kurzzeit-Prozesse (Temperung und Oxydation)
• Hoch-Temperatur Vakuum Temperung

Dünnschicht-Technik

• Sputtern (DC-, RF-Magnetron, verschiedene Materialien)
• Bedampfung (Elektronenstrahl, resistiv, verschiedene Materialien)

Messtechnik

• Optische Schichtdickenmessung (interferometrisch, ellipsometrisch)
• Optische Breitenmessung
• Optische Mikroskopie
• Messung von Oberflächenprofilen
• Elektrische Messtechnik (I/V-, MIS-C/V-Messungen)