Instrument

Funktion

Ansprechpartner

OrsayFIB

HV-Anlage für fokussierte Ionenstrahlen:

• LMAIS Ionenquelle: < 10 A/cm²
• Kinetische Energie: < 30 keV
• Verfügbare Ionenarten: Au, Si, Ge, Ga, Co, Nd, Cr, Er, Ni, …
• Lokale Implantation
• Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem Ionenstrahl
• Laterale Auflösung für Ga-Ionen: 10 nm
• Strukturgrößen < 50 µm

CANION FIB

HV-Anlage für fokussierte Ionenstrahlen:

• LMAIS Ionenquelle (bis 10 A/cm²)
• Kinetische Energie bis 30 keV
• Verfügbare Ionenarten: Au, Si, Ge, Ga, Co, Nd, Cr, Er, Ni, …
• Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem Ionenstrahl
• Laterale Auflösung für Ga-Ionen: 15 nm
• Laserstage zur Positionierung

Orion NanoFab

Helium-Ionen-Mikroskop:

• Rückstreudetektor für TOF-SIMS
• Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
• Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
• Bildgebung mit Sekundärelektronen

NVision 40

HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:

• Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem Ga-Ionenstrahl
• Laterale Auflösung FIB: 7 nm
• Verfahrweg der Stage: 100 mm
• C- und Pt-Deposition

Orion Plus

Helium-Ionen-Mikroskop:

• Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem He-Ionenstrahl
• Laterale Auflösung: He 0.5 nm, Ne 1.6 nm
• Strukturgrößen von nm bis µm

HCI

UHV Experimentierkammer für hochgeladene Ionen:

• Verfügbare Ionensorten: Ne, Ar, Kr
• Kinetische Energie: 0.5q bis 4.5q keV
• Implantationen von Ne, Ar, Kr

LEI

HV-Anlage für niederenergetische Ionenbestrahlung:

• Ionenquelle vom Kaufman-Typ
• Edelgas-Ionen mit 200 bis 1200 eV
• Polare Einfallswinkel 0° bis 90°
• Probenheizung bis 600°C
• 3 Verdampferquellen für Metalldeposition
• Ioneninduzierte Nanostrukturierung von Oberflächen
• Deposition von metallischen Dünnfilmen

Instrument

Funktion

Ansprechpartner

Olympus Ultra Objective

Rasterkraftmikroskop:

• Contact- oder Tapping-Modus AFM
• Spreading resistance Messung
• max. Messbereich: 20 µm x 20 µm
• optische Mikroskopie

Bruker Multimode 8 AFM

Rasterkraftmikroskop:

• Contact- oder Tapping-Modus AFM
• Spreading resistance Messung (in Planung)
• 3D-Abbildung der Oberflächentopographie mit 7 nm lateraler Auflösung
• max. Messbereich: 15 µm x 15 µm
• optische Mikroskopie

Omicron UHV AFM / STM

UHV Rasterkraft- / Rastertunnelmikroskop:

• Contact- oder Non-Contact-Modus AFM
• STM
• 3D-Abbildung der Oberflächentopographie mit < 1 nm lateraler Auflösung
• max. Messbereich: 5 µm x 5 µm
• Probenheizung bis 600°C

Orion NanoFab

Helium-Ionen-Mikroskop:

• Rückstreudetektor für TOF-SIMS
• Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
• Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
• Bildgebung mit Sekundärelektronen

Orion Plus

Helium-Ionen-Mikroskop:

• Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
• Bildgebung mit Sekundärelektronen
• Rückstreu-Detektor
• Untersuchung nicht-leitender Proben mittels Ladungskompensation

NVision 40

HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:

• Laterale Auflösung SEM: 1.5 nm

• Verfahrweg der Stage: 100 mm

NanoSAM

Elektronenmikroskopie im UHV:

• Rasterelektronenmikroskopie (REM)

Instrument

Funktion

Ansprechpartner

TestFIB

UHV Anlage zur Charakterisierung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):

• Massenspektrometrie
• Messung der Energieverteilung
• Kinetische Energie der Ionen bis 10 keV

NVision 40

HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:

• Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX)

• Elektronenrückstreubeugung (EBSD

Orion NanoFab

Helium-Ionen-Mikroskop:

• Rückstreudetektor für TOF-SIMS
• Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
• Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
• Bildgebung mit Sekundärelektronen

HCI

UHV Experimentierkammer für hochgeladene Ionen:

• Verfügbare Ionensorten: Ne, Ar, Kr
• Kinetische Energie: 0.5q bis 4.5q keV
• Ladungszustände bis q = 40 für Ar
• Probentemperatur -200°C bis +1000°C
• Ionenspektroskopie

Instrument

Funktion

Ansprechpartner

Spot Welder

Punktschweißgerät:

• Bonden von Drähten und Blechen

Etching Setup

Ätzeinrichtung:

• Elektrochemisches Ätzen von Wolframspitzen für Ionenquellen

Leica EM TXP

Gerät zur mechanischen Präparation:

• Fräsen, Sägen, Mahlen und Polieren
• u. a. Präparation für Lichtmikroskopie und Elektronenmikroskopie

ArBlade 5000 CTC

HV-Gerät zum Fräsen mit Ionenstrahlen:

• unfokussierter Ar-Strahl mit 0.1 bis 8 keV kinetischer Energie
• Ionenfräsen zur Glättung oder zur Herstellung von Dünnschnitten
• Abtragraten bis 1 mm/Stunde

LMAIS Präparation

HV-Einrichtung zur Herstellung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):

• Reinigung und Aufschmelzen von Legierungen für LMAIS
• Benetzung, Füllung und Funktionstest

Instrument

Funktion

Ansprechpartner

Spot Welder

Punktschweißgerät:

• Bonden von Drähten und Blechen

Etching Setup

Ätzeinrichtung:

• Elektrochemisches Ätzen von Wolframspitzen für Ionenquellen

Leica EM TXP

Gerät zur mechanischen Präparation:

• Fräsen, Sägen, Mahlen und Polieren
• u. a. Präparation für Lichtmikroskopie und Elektronenmikroskopie

ArBlade 5000 CTC

HV-Gerät zum Fräsen mit Ionenstrahlen:

• unfokussierter Ar-Strahl mit 0.1 bis 8 keV kinetischer Energie
• Ionenfräsen zur Glättung oder zur Herstellung von Dünnschnitten
• Abtragraten bis 1 mm/Stunde

LMAIS Präparation

HV-Einrichtung zur Herstellung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):

• Reinigung und Aufschmelzen von Legierungen für LMAIS
• Benetzung, Füllung und Funktionstest