Nanocluster in implantierten Lichtemitter-Bauelementen durch ms-Temperung


Nanocluster in implantierten Lichtemitter-Bauelementen durch ms-Temperung

Skorupa, W.; Rebohle, L.; Prucnal, S.; Kanjilal, A.; Sun, J. M.; Cherkouk, C.; Helm, M.; Nazarov, A.; Behar, M.

Die effiziente Erzeugung silizium-basierter Elektrolumineszenz ist eine Schlüsselproblematik, die für den avisierten Übergang von der Nanoelektronik zur Nanophotonik von entscheidender Bedeutung ist. Im Vortrag wird über die Korrelation von Temperzeit, der Größe von Seltenerde-Nanoclustern und deren Einfluß auf die Elektrolumineszenz-Ausbeute in Lichtemitter-Bauelementen berichtet, die auf implantierten, thermisch gewachsenen SiO2-Schichten auf Si-Wafern basieren.

Keywords: nanocluster; rare earth; ion implantation; electroluminescence; silicon-based light emitting devices

  • Lecture (Conference)
    Workshop Ionenstrahlphysik und Nanotechnologie, 11.-12.04.2008, Darmstadt, Germany

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-11278
Publ.-Id: 11278