Ladungsträger-Tiefenprofilierung an ultra-flachen pn-Übergängen

Die Stufenweise Oxidationsprofilierung (SWOP) wurde zur Ladungsträgertiefenprofilierung an Bor-implantierten Silizium eingesetzt. Das Meßverfahren basiert auf einer alternierenden elektrischen Messung des Schichtwiderstandes mit van-der-Pauw (VDP)-Strukturen zwischen jeweils einem Si-Schichtabtrag durch elektrochemische anodische Oxidation. Es konnte gezeigt werden, dass die SWOP-Profile sehr gut mit SIMS-Referenzprofilen übereinstimmen und eine Tiefenauflösung von 1 nm sowie eine Nachweisgrenze 1•1016cm-3 erreicht wird.