The Helmholtz Innovation Lab for ultra-short time annealing


The Helmholtz Innovation Lab for ultra-short time annealing

Rebohle, L.; Begeza, V.; Garcia Munoz, A.; Schumann, T.; Neubert, M.; Xie, Y.; Prucnal, S.; Grenzer, J.; Hübner, R.; Zhou, S.; Skorupa, W.

Der Vortrag stellt das Helmholtz Innovation Lab für Ultrakurzzeitausheilung vor. Im zweiten Teil werden experimentelle Ergebnisse bei der Kristallisation von dünnen amorphen Halbleiterschichten (Si, Ge, NiGe) mittels magnetron sputtering und Blitzlampenausheilung diskutiert.

Keywords: Helmholtz Innovation Lab; flash lamp annealung; ultra-short time annealing; magnetron sputtering; nickel germanide

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Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-29890
Publ.-Id: 29890