Modulator für die Plasmaimmersions-Ionenimplantation
Modulator für die Plasmaimmersions-Ionenimplantation
Günzel, R.
Die Erfindung betrifft mit dem Modulator für die Steuererung der hochspannungsgepulsten Plasmaimmersions-Ionenimplantation (PIII) ein wesentliches Bauteil einer PIII-Anlage.
Mit der Erfindung sollen mit geringerem technischen und finanziellen Aufwand die bei der PIII während der Wirkung eines Hochspannungspulses fließenden großen Ströme unter Hochspannung ein- und ausgeschalten werden.
Erfindungsgemäß wird dies durch einen Modulator gelöst, mit dem die Pulssteuerung nicht über einen als technisch eigenständige Einheit beigestellten Hochspannungsschalter erfolgt, sondern mittels einer über ein Abschirmgitter steuerbaren Zusatzelektrode. Diese Elektrode ist einschließlich des Abschirmgitters in die Implantationskammer integriert und mit dem Kondensator für die Bereitstellung der Hochspannung verbunden, während das Abschirmgitter über einen Pulserzeuger mit Spannungspulsen von 1 - 2000 V angesteuert wird.
Das Abschirmgitter, das die in den Plasmaraum eintauchende Elektrode umgibt, gewährleistet durch das Anlegen steuerbarer Gitterspannungen, daß die zusätzliche Elektrode vom Plasma entweder isoliert ist, oder aber im elektrischen Kontakt mit diesem steht. In letzterem Fall wird, analog geschlossenem Schalter in bekannten Modulatoren der Entladestromkreis des Kondensators geschlossen.
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Patent
DE 197 02 294 A 1 -
Patent
WO 98/33200 -
Patent
EP 0 954 875 -
Patent
JP 3506717 -
Patent
US 6,205,948 B1
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Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-3002
Publ.-Id: 3002