Verfahren zur Implantation von Ionen in leitende bzw. halbleitende Werkstücke mittels PIII und Implantationskammer zur Durchführung des Verfahrens


Verfahren zur Implantation von Ionen in leitende bzw. halbleitende Werkstücke mittels PIII und Implantationskammer zur Durchführung des Verfahrens

Brutscher, J.; Günzel, R.

Der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Implantation von Ionen gasförmiger Elemente in leitende bzw. halbleitende Werkstücke mittels Plasmaimmersionsimplantation ( PIII ) das ohne aufwendige Hochspannungspulser zu guten Implantationsergebnissen führt.
Das erfindungsgemäße Verfahren besteht darin, daß an die zu implantierenden Werkstücke eine DC-Hochspannung (Gleichspannung > 5kV ) angelegt und das Plasma gepulst wird.
Zur Erzeugung des Plasmas wird vorteilhaft eine Anordnung mit geheizten Filamenten oder eine ECR-Quelle eingesetzt. Das Plasma wird gepulst, indem die Bogenspannung an den Filamenten gepulst wird, oder aber der Mikrowellengenerator der ECR-Quelle im Pulsbetrieb betrieben wird.
Um zu verhindern, daß das das vom auf Hochspannung liegenden Werkstück ausgehende elektrische Feld bis auf die Ionenquelle durchgreift, dort den Austritt von Elektronen unterdrückt und die Zündung des Plasmas erschwert, wird die Plasmaquelle geometrisch so angeordnet bzw. gegenüber der Hochspannung abgeschirmt, daß der Durchgriff der Hochspannung auf die Plasmaquelle minimal ist. Konkret kann dies z. B. dadurch erfolgen, daß die Plasmaquelle an die Implantationskammer mit einem genügend tiefen Hals angeflanscht wird, oder daß zwischen Plasmaquelle und Werkstück in Abständen von einigen cm dünne geerdete Drähte gespannt werden.

  • Patent
    Deutsche Patentanmeldung DE 195 38 903 A1
  • Patent
    EP 0 786 792 A1

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-3274
Publ.-Id: 3274