Verfahren zur Herstellung Ohmscher Kontakte auf Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen
Verfahren zur Herstellung Ohmscher Kontakte auf Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen
Heera, V.; Höfgen, A.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Ohmsche Kontakte mit geringem Kontaktwiderstand auf p-leitenden SiC-Halbleiterbereichen zu erzeugen, wobei die Maximaltemperatur bei der Prozessführung 1000oC nicht überschreiten soll.
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Patent
DE 100 06 378 A1 -
Patent
DE 100 06 378 C 2
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-3370
Publ.-Id: 3370