Verfahren zur Herstellung Ohmscher Kontakte auf Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen


Verfahren zur Herstellung Ohmscher Kontakte auf Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen

Heera, V.; Höfgen, A.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Ohmsche Kontakte mit geringem Kontaktwiderstand auf p-leitenden SiC-Halbleiterbereichen zu erzeugen, wobei die Maximaltemperatur bei der Prozessführung 1000oC nicht überschreiten soll.

  • Patent
    DE 100 06 378 A1
  • Patent
    DE 100 06 378 C 2

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-3370
Publ.-Id: 3370