Ionenstrahlsynthese von SiC in Si: Strukturelle Untersuchungen


Ionenstrahlsynthese von SiC in Si: Strukturelle Untersuchungen

Eichhorn, F.

Die Synthese von SiC-Kristalliten durch Implantation von Kohlenstoff in Silizium ist kein einstufiger Prozess. Die Implantation bewirkt eine elastische Deformation der Si-Matrix und die Bildung von SiC-Partikeln in Abhängigkeit von der Ionenfluenz und den thermischen Bedingungen während der Implantation und des Anlassprozesses.
Das Wachstum der SiC-Kristallte in der Si-Matrix wurde mit unterschiedlichen Röntgentechniken wie Diffraktometrie zur Phasenidentifizierung, hochauflösender Diffraktometrie, Texturmessungen, grazing incidence diffraction, reciprocal space map an der Rossendorfer Beamline (ROBL) und hochauflösender Elektronenmikroskopie untersucht.
Es wurde gefunden, dass in einer vergrabenen Schicht 3C-SiC Kristallite gebildet werden. Nach ihrer Orientierung zur Si-Matrix können diese in drei Gruppen eingeteilt werden: mit (i) regelloser Orientierung wie in einem Pulvermaterial, (ii) Fasertextur mit der Oberflächennormale als Faserachse und (iii) perfekter kristallographischer Ausrichtung der kubischen Kristallachsen SiC<100> || Si<100>.
Eine thermische Behandlung begünstigt das Wachstum von hochorientiertem Material: dabei ist eine höhere Implantationstemperatur effektiver als ein nachfolgender Anlassprozess selbst bei höherer Temperatur.

Keywords: Ion beam synthesis; 3C-SiC; Si(001); x-ray diffraction; synchrotron x-rays

  • Lecture (others)
    Gemeinsames Seminar, Friedrich-Schiller-Universität Jena, April 6, 2001

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-4343
Publ.-Id: 4343